SOI基板上埋入式快闪记忆装置及其制造方法

摘要

本案是揭露快闪记忆体装置结构及其制造方法。所述快闪记忆体装置是于绝缘体覆矽(SOI)基板上制造。所述SOI基板的浅沟渠隔离(STI)区域与埋入式氧化物层是用以隔离相邻的装置。所述制造方法需要的蚀刻罩幕较少，并且可于独立的快闪记忆体装置、埋入式快闪记忆体装置以及晶片上系统(SoC)快闪记忆体装置实施。