氮化物半导体基板及氮化物半导体基板之加工方法

摘要

于本发明之氮化物半导体基板之加工方法中，首先，准备圆盘状氮化物半导体基板(20)，其具备复数个条状区域(12)，该复数个条状区域(12)包含晶体缺陷密度高于周围之单晶体区域(14)之缺陷集中区域。继而，以条状区域(12)延伸之方向(ST)为基准，于氮化物半导体基板(20)之边缘之特定位置形成定向平面(OF)。