发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明以提高半导体装置及其制造方法之信赖性为目的。本发明之半导体装置系具有:于半导体基板(1)上隔介第1绝缘层而形成之垫电极(3)、及以由前述半导体基板(1)之背面伸达前述垫电极(3)之表面的方式形成之通孔(8),系由第1开口部(7A)及第2开口部(7B)所构成,该第1开口部(7A)系形成为,前述通孔(8)接近前述垫电极(3)之部分之开口径比接近前述半导体基板1背面之部分的开口径还宽,而该第2开口部(7B)系形成于第1绝缘体(2)中,连接于前述第1开口部(7A),且系形成为,接近前述垫电极(3)表面之部分之开口径系比接近前述半导体基板(1)表面之部分之开口径还小。
申请公布号 TW200711065 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW095107726 申请日期 2006.03.08
申请人 三洋电机股份有限公司;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 龟山工次郎;铃木彰;冈山芳央;梅本光雄
分类号 H01L23/12(2006.01);H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/12(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本