包含具有金属源极及/或汲极区之薄膜三端切换装置之记忆体单元

摘要

本发明系关于一种非挥发性记忆体单元，其包含串连之一可切换电阻器记忆体元件及一薄膜三端切换装置，该薄膜三端切换装置宜为一MOSFET。该可切换电阻器记忆体元件具有至少有两个稳定电阻状态之特性，例如一高电阻状态及一低电阻状态。其在该等两个状态之间切换，且藉由提供通过该三端切换装置之适当电流而感应其电阻状态(且因此该单元之资料状态)。本发明之较佳实施例包括一高度致密之单石三维记忆体阵列，其中此类记忆体单元之多个记忆体级系形成于一单个基板(诸如一单晶矽晶圆)之上。