Verwendung eines lösungsprozessierbaren Materials als aktive halbleitende Schicht in einem n-Typ-Transistor

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf n-Typ organische Feldeffekt-Transistoren. Dabei wurde das Material der Halbleiterschicht so gewählt, dass eine bessere Herstellungsweise, insbesondere durch Prozesse, die lösungsprozessierbare Halbleitermaterialien erfordern, und ein Transistor mit verbesserten Eigenschaften erhalten wurde.