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Die vorliegende Erfindung liefert eine Halbleiterlaservorrichtung mit: einem Halbleiterlaserhauptteil (36), das einen Resonator (22) enthält und eine vordere Endfläche und eine hintere Endfläche, die zueinander zeigen, aufweist, wobei der Resonator (22) zwischen der vorderen Endfläche und der hinteren Endfläche ausgebildet ist und die vordere Endfläche hauptsächlich Laserlicht emittiert; einer Reflexionsgrad-Steuerschicht (38, 42), die auf der vorderen Endfläche oder der hinteren Endfläche des Halbleiterlaserhauptteils (36) angeordnet ist und entweder aus einer Aluminiumoxidschicht (38) oder einer fünflagigen Schicht (42), welche die Aluminiumoxidschicht so enthält, daß diese die am weitesten von der vorderen Endfläche oder der hinteren Endfläche entfernte Lage der Lagen in der fünflagigen Schicht (42) ist, ausgebildet ist; und einer Siliziumoxidschicht (40), die auf der Aluminiumoxidschicht der Reflexionsgrad-Steuerschicht (38, 42) angeordnet ist und eine Dicke von 20 nm oder weniger aufweist.
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