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Ein Mehrwert-Masken-ROM ist durch Anordnen von Zellentransistoren (Tr00-Tri6) in einer Matrixform aufgebaut, welche durch Verdrahten von Wortleitungen (WLO-WLi) und Erdleitungen (GO-Gi) in Zeilen und durch Verdrahten von Bitleitungen (D0-D7) in Spalten definiert ist. Jeder der Zellentransistoren ist durch eine Wortleitung, eine Erdleitung und wenigstens zwei Bitleitungen umgeben. Hierbei sind Gate-Anschlüsse der Zellentransistoren, die sich in einer selben Zeile erstrecken, mit einer selben Wortleitung verbunden, während Source-Anschlüsse und Drain-Anschlüsse der Zellentransistoren adäquat mit der Erdleitung und den Bitleitungen verbunden oder von diesen getrennt sind. In einer integrierten Schaltung sind Kontakte zwischen n+-Bereichen (9), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (12) auf einem Wannenbereich (8) ausgebildet, um Verbindungen bzw. Anschlüsse zu bilden, durch welche der Source-Anschluß und der Drain-Anschluß des Zellentransistors adäquat mit der Erdleitung und/oder den Bitleitungen verbunden werden. Das bedeutet, daß ROM-Codes unter Verwendung der Kontakte ausgebildet werden. Eine Schaltung ist für den Mehrwert-Masken-ROM zum Auslesen gespeicherter Informationen der Zellentransistoren synchron zu einem Taktsignal (CLK) vorgesehen. Bei einer Dauer des Taktsignals mit niedrigem Pegel führt die Schaltung ein Vorladen zu einer ersten Bitleitung (D0) und ein Herunterziehen zu einer zweiten Bitleitung (D1) durch. Bei einer Dauer des ...
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