| 摘要 |
Offenbart werden ein Wafer-Level-Chip-Size-Package für ein Bildsensor-Modul und das entsprechende Herstellungsverfahren, insbesondere ein kleinformatiges Bildsensor-Modul, gekennzeichnet durch eine Struktur, bei der ein Glas mit einem I/R-Cut-Off-Filter (Schicht) auf einem Bildsensor-Chip durch eine Polymer-Trennwand angeordnet ist und eine Lotperle auf einer Elektrode auf der Rückseite eines Chips, der durch ein Durchgangsloch auf jeder I/O-Elektrode eines Bildsensor-Chips ausgebildet ist, sowie ein Wafer-Level-Chip-Size-Package zur Herstellung des Moduls. Das Herstellungsverfahren für ein Wafer-Level-Chip-Size-Package für ein Bildsensor-Modul umfasst: DOLLAR A Verbinden eines Bildsensor-Wafer-Glases mit einem Glas-Wafer zur Herausbildung eines Durchgangslochs auf dem Bildsensor-Wafer, Füllen des Durchgangslochs im Bildsensor-Wafer mit einem Erregermaterial; und Herausbilden einer Lotperle am Ende des Erregermaterials zur Verbindung mit dem Schaltkreis, der durch das PCB-Substrat geschaffen wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden für das Wafer-Verfahren und das Metall-Abscheideverfahren bereits vorhandene Ausrüstungen verwendet. Dadurch ist es möglich, kostengünstige Wafer-Level-Chip-Size-Packages und ein Bildsensor-Modul mit einer minimalere Schichtdicke in einer Richtung der Schichtdicke als bereits vorhandene Wafer-Level-Chip-Size-Packages für Bildsensoren herzustellen, die jedoch die gleiche Fläche wie ein Bildsensor-Chip aufweisen. |
