| 发明名称 | 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 | ||
| 摘要 | 一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN1929154A | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200510086372.1 | 申请日期 | 2005.09.08 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 吴巨;王宝强;朱战平;曾一平 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度；步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||