发明名称 |
用于测试具有TMR元件的磁头的方法和设备 |
摘要 |
本发明披露了一种具有通过非破坏性检查来评价TMR元件的隧道阻挡层中的针孔的功能的磁头测试设备。所述测试设备包括:温度控制单元(7),所述温度控制单元(7)用于设定TMR元件的周围温度;偏压电流控制单元(5),所述偏压电流控制单元(5)施加用于测量电阻值的电流;元件电阻测量单元(6)以及计算温度系数的CPU(9)。CPU(9)根据温度系数确定隧道阻挡层中的针孔状态。 |
申请公布号 |
CN1305028C |
申请公布日期 |
2007.03.14 |
申请号 |
CN200410095842.6 |
申请日期 |
2004.11.26 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
中洋之 |
分类号 |
G11B5/455(2006.01);G11B5/00(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/455(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种用于测试磁头的设备,所述磁头包括隧道磁阻效应元件,其特征在于,所述设备包括:测量单元(6),该测量单元用于测量隧道磁阻效应元件的电阻值;计算单元(9),该计算单元基于隧道磁阻效应元件的电阻值和周围温度之间的关系计算关于隧道磁阻效应元件电阻值的温度系数;以及确定单元(9),该确定单元基于温度系数确定被包括在隧道磁阻效应元件中的隧道阻挡层中的针孔状态。 |
地址 |
日本东京都 |