| 发明名称 | 凸块制程及其结构 | ||
| 摘要 | 一种凸块制程，包括下列步骤：首先，提供一晶圆；形成一第一光阻层在晶圆的一主动表面上，并形成至少一第一开口在第一光阻层中；以及形成一第一铜柱在第一开口中；接着，形成一第二光阻层在第一光阻层上，并形成至少一第二开口在第二光阻层中，其中第二开口小于第一开口，以使第一铜柱的部分表面显露在第二开口中；以及形成一第二铜柱在第二开口中；最后，形成一焊料层在第二铜柱上；以及去除第一与第二光阻层。 | ||
| 申请公布号 | CN1929093A | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200510099769.4 | 申请日期 | 2005.09.07 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 黄敏龙;陈逸信;陈嘉滨 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/482(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 唐秀萍 |
| 主权项 | 1、一种凸块制程，包括下列步骤：提供一晶圆，该晶圆具有多个晶片，每一晶片具有至少一个焊垫，该焊垫位于晶圆的主动表面上；形成一第一光阻层在所述晶圆的主动表面上，并形成至少一第一开口在该第一光阻层中；形成一第一铜柱在所述第一开口中；其特征在于：该凸块制程还包括下列步骤：形成一第二光阻层在所述第一光阻层上，并形成至少一第二开口在该第二光阻层中，该第二开口小于第一开口，使所述第一铜柱的部分表面暴露在该第二开口中；形成一第二铜柱在所述第二开口中；形成一焊料层在所述第二铜柱上；以及去除所述第一与第二光阻层。 | ||
| 地址 | 台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||