薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤：首先，于基板上形成非晶硅层。接着，于此非晶硅层上形成第一栅绝缘层。之后，进行退火工艺，以使上述非晶硅层熔融后再结晶而成为多晶硅层。然后，图案化此第一栅绝缘层与多晶硅层，以定义出岛状图案。之后，再于此岛状图案上形成栅极。最后，于此岛状图案的多晶硅层中形成源极区与漏极区。在进行退火工艺之后，多晶硅层与栅绝缘层之间的间界致密性将会变得更为紧密，此即有助于减少薄膜晶体管元件在工作时产生的漏电流。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括：于基板上形成非晶硅层；于该非晶硅层上形成第一栅绝缘层；进行退火工艺，以使该非晶硅层熔融后再结晶而成为多晶硅层；图案化该第一栅绝缘层与该多晶硅层，以定义出岛状图案；于该岛状图案上形成栅极；以及于该岛状图案的该多晶硅层中形成源极区与漏极区。