| 发明名称 | 绝缘膜的改性方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善由MOSFET的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物(suboxide)、悬挂键(danglingbond)等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的等离子体处理和热退火处理组合的改性处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1930668A | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200480015099.7 | 申请日期 | 2004.05.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 菅原卓也;多田吉秀;中村源志;尾﨑成则;中西敏雄;佐佐木胜;松山征嗣;长谷部一秀;中岛滋;藤原友纪 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，是对在电子设备用基材表面上成膜的绝缘膜进行改性的方法，其特征在于：所述改性方法通过将向该绝缘膜照射基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的工序和对该绝缘膜实施热退火的工序组合而形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||