发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
通过使处于电容膜的下部的硅化钨层再结晶化来使耐压提高。在将多晶硅膜2和硅化钨膜3A作为下部电极使用的电容元件的作成中,通过在对作为电容膜使用的氧化硅膜6进行成膜前进行使用了RTA装置的加热处理,使硅化钨膜3A再结晶化。由此,可防止氧化硅膜6与硅化钨膜3A的接触成为不均匀的状态,可大幅度地提高电容膜的耐压,可增加电容元件能蓄积的电荷量,可将电容元件应用于高耐压的半导体器件。 |
申请公布号 |
CN1305114C |
申请公布日期 |
2007.03.14 |
申请号 |
CN200410061825.0 |
申请日期 |
2004.06.25 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
福田干夫 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L27/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
张平元;赵仁临 |
主权项 |
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,该方法具有下述工序:层叠第1多晶硅膜、硅化钨膜和氧化硅膜的工序;以上述氧化硅膜作为硬掩摸,通过对上述第1多晶硅膜和硅化钨膜进行构图形成下部电极的工序;在上述下部电极上的氧化硅膜中形成了开口部后,在上述下部电极上形成电容膜的工序;在上述电容膜上使第2多晶硅膜成膜后,通过进行上述第2多晶硅膜的构图形成上部电极的工序;以及在使上述电容膜成膜前,通过进行加热处理使硅化钨膜的一部分再结晶化的工序;其中,所述电容膜包括氮化硅膜、氧化硅膜,或仅为氮化硅膜。 |
地址 |
日本大阪府 |