发明名称 一种高催化还原活性的光催化剂的制备方法
摘要 一种高催化还原活性的光催化剂的制备方法,属于光催化技术领域。为了能够有效地分解全氟化合物等环境持久性污染物质,本发明公开了一种高催化还原活性的光催化剂的制备方法:首先,负载基材除油预处理后,在其表面制备厚度超过5μm的均匀Cu过渡层。其次,制备Ni均匀过渡层,即得到负载基底材料。最后,在负载基底材料上再制备TiO<SUB>2</SUB>前驱体薄膜,并置入热处理装置中在300℃~650℃区间内的任意温度下烧结至少20min,即可得到负载型TiO<SUB>2</SUB>-CuO-NiO还原功能光催化剂。按照本发明所述方法制得的光催化剂具有还原活性高,易分离、回收,方便多次重复利用,制备工艺流程简单、可控制性强,完全适于工业大批量生产等优点。
申请公布号 CN1304115C 申请公布日期 2007.03.14
申请号 CN200510012113.4 申请日期 2005.07.08
申请人 清华大学 发明人 张丽;张彭义;陈静
分类号 B01J37/025(2006.01);B01J21/06(2006.01) 主分类号 B01J37/025(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种高催化还原活性的光催化剂的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:1)纯Cu负载基材和具有Cu过渡层的非Cu负载基材的制备:对于纯Cu基材,利用酸性水溶液对其进行活化预处理,得到纯Cu负载基材;对于非Cu基材,进行喷砂、彻底除油清洁预处理,然后在基材表面均匀镀上厚度至少为5μm的Cu过渡层,得到具有Cu过渡层的非Cu负载基材;2)电沉积Ni:在步骤1)制备好的纯Cu负载基材或具有Cu过渡层的非Cu负载基材的表面,通过电沉积均匀制备厚度为30μm~100μm的Ni过渡层,得到负载基底材料;3)在上述制备好的负载基底材料上制备TiO2前驱体薄膜,待其干化后,置于热处理装置中,由室温逐渐升温至温度为300℃~650℃区间内的任意温度,并保持该温度,烧结至少20分钟,炉冷至室温,即可得到负载型TiO2-CuO-NiO还原功能光催化剂。
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