硅SOI基片上制造检测磁场/压力MOSFET的方法

摘要

本发明涉及一种在SOI基片上制造可以同时检测磁场和压力的MOSFET工艺方法。尤其是该方法所采用的微电子制造工艺与半导体集成电路工艺相兼容。本发明提供一种采用纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET漏和源的磁场和压力同时检测多功能器件的制造方法。本发明的制造方法所采用的工艺方案是：在SOI硅片上，采用CMOS技术和PECVD方法在SOI表面的Si层上制造具有纳米硅/单晶硅异质结漏和源的SOI MAG－MOSFET，并将SOI MAG－MOSFET器件的背面硅衬底利用MEMS技术加工成硅杯结构，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器。在SOI硅片上研制MAG－SOI MOSFET多功能压/磁传感器集纳米硅/单晶硅异质结和SOI MOSFET的共同优点，具有很好的温度稳定性、寄生电容小、功耗低、可靠性高，耐恶劣环境，抗辐射、寿命长等优点。本发明的制造方法有益效果是将性能优秀的纳米硅/单晶硅异质结作为MOSFET的漏和源，又将制造的器件结构与硅杯结构相结合，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器，结构简单，制造方法与集成电路工艺相兼容。

主权项

1.一种在SOI基片上制造可以同时检测磁场和压力的MOSFET工艺方法，其特征是：在SOI硅片上，采用CMOS技术和PECVD方法在SOI表面的Si层上制造具有纳米硅/单晶硅异质结漏和源的SOI MAG-MOSFET，并将SOI MAG-MOSFET器件的背面硅衬底利用MEMS技术加工成硅杯结构，使制造的器件成为在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器。