高压场效应晶体管和制造高压场效应晶体管的方法

摘要

高压场效应晶体管，其带有漏极接点(D)、源极接点(S)、体接点(B)和栅极接点(G)，带有栅极氧化物(89)和一个以栅极氧化物(89)交界的栅极电极(25)，它与栅极接点(G)连接，带有第一导电类型的漏极半导体区(11)，它与漏极接点(D)连接，带有第一导电类型的源极半导体区(12)，它与源极接点(S)连接，带有第二导电类型的体接点半导体区(31)，它与体接点(B)连接，带有第二导电类型的体半导体区(30)，它部分地以栅极氧化物(89)为界以形成沟道，和以体接点半导体区(31)为界，带有第一导电类型漂移半导体区域(10)，它以漏极半导体区(11)和体半导体区(30)为界，其中一个与体半导体区(30)隔开区域(50)中的漂移半导体区域(10)内形成势垒(pb)。

主权项

1.高压场效应晶体管，-带有漏极接点(D)、源极接点(S)、体接点(B)和栅极接点(G)，-带有栅极氧化物(89)和以栅极氧化物(89)为界的与栅极接点(G)连接的栅极电极(25)，-带有第一导电类型的漏极半导体区(11)，其与漏极接点(D)连接，-带有第一导电类型的源极半导体区(12)，其与源极接点(S)连接，-带有第二导电类型的体接点半导体区(31)，其与体接点(B)连接，-带有第二导电类型的体半导体区(30)，其部分地以栅极氧化物(89)为界，以形成沟道并以体接点半导体区(31)为界，-带有第一导电类型漂移半导体区域(10)，其以漏极半导体区(11)和体半导体区(30)为界，其中在与体半导体区(30)隔开的区域(50)中的漂移半导体区域(10)内形成势垒(pb)。