| 发明名称 | 一种改善器件阈值电压分布的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善器件阈值电压分布的方法，包括如下步骤：第一步，核心NMOS晕环离子注入和LDD离子注入；第二步，I/O NMOSLDD离子注入；第三步，LDD低温快速热退火；第四步，核心PMOS晕环离子注入和LDD离子注入；第五步，I/O PMOS LDD离子注入。本发明方法可以使NMOS阈值电压随沟道长度的起伏大大减小，从而增大工艺窗口，改善器件特性。本发明适用于半导体制造工艺中NMOS器件制造工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1929098A | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200510029475.4 | 申请日期 | 2005.09.07 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种改善器件阈值电压分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，核心NMOS晕环离子注入和轻掺杂源漏离子注入；第二步，I/ONMOS轻掺杂源漏离子注入；第三步，轻掺杂源漏的低温快速热退火；第四步，核心PMOS晕环离子注入和轻掺杂源漏离子注入；第五步，I/O PMOS轻掺杂源漏离子注入。 | ||
| 地址 | 201206上海市川桥路1188号718 | ||