| 发明名称 | 一种采用同轴腔体耦合射频信号的塔顶放大器馈电器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种采用同轴腔体耦合射频信号的塔顶放大器馈电器。由馈电杆(01)和(05)，ANT端结构(02)，聚四氟乙烯薄膜(03)，BTS端结构(04)构成。其中，馈电杆用以将直流电压由BTS端引入到ANT端，其ANT端结构作为同轴腔体耦合电容的内芯，BTS端结构作为其外芯，聚四氟乙烯薄膜作为其介质，三者所构成的耦合电容用以耦合射频信号；同时，在加工工艺上采用铝合金材料精加工、表面粗糙度预测和控制、镀银处理和外表喷塑；在整体设计上采用一体化腔体结构。具有美观、可靠、成本低、承载功率强、温度系数小的特点，尤其是与采用传统馈电器相比，可使系统的互调产物降低高达20～35dBm@2X+43dBm，从而可明显提高移动通信基站的覆盖范围和话务量。 | ||
| 申请公布号 | CN2879447Y | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200520145298.1 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 发明人 | 李俊辉;翟津生 |
| 分类号 | H01P5/00(2006.01);H01P5/02(2006.01) | 主分类号 | H01P5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 刘延喜 |
| 主权项 | 1、一种采用同轴腔体耦合射频信号的塔顶放大器馈电器，由馈电杆(01)，ANT端结构(02)，聚四氟乙烯薄膜(03)，BTS端结构(04)、馈电杆(05)构成，其特征在于，将馈电杆(01)和馈电杆(05)分别拧入到ANT端结构(02)和BTS端结构(04)，将ANT端结构(02)插入到聚四氟乙烯薄膜(03)，将聚四氟乙烯薄膜(03)插入到BTS端结构(04)；通过馈电杆(01)将直流电压引入到ANT端结构(02)；由ANT端结构(02)、聚四氟乙烯薄膜(03)和BTS端结构(04)三者共同构成同轴腔体耦合电容，其ANT端结构(02)和BTS端结构(04)分别作为该同轴腔体耦合电容的内芯和外芯，聚四氟乙烯薄膜(03)作为该同轴腔体耦合电容的介质；来自BTS端的下行射频信号和来自ANT端的上行射频信号分别通过该同轴腔体耦合电容进行耦合。 | ||
| 地址 | 510730广东省广州市经济技术开发区金碧路6号 | ||