薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管以及像素结构

摘要

一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤。首先，在基板上形成多晶硅岛状物。接着，在多晶硅岛状物上形成图案化栅极介电层与栅极。继之，在栅极下方两侧的多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而源极/漏极之间是通道区。再来，在基板上形成金属层，覆盖栅极、图案化栅极介电层与多晶硅岛状物。接着，使位于源极/漏极上方的金属层与多晶硅岛状物反应而形成硅化金属层。再来，移除未反应的金属层。继之，形成层间介电层，其覆盖基板。之后，移除源极/漏极上方的层间介电层而形成源极/漏极接触孔开口，其中硅化金属层是作为移除终止层。此薄膜晶体管的制造方法可以制造尺寸精细的源极/漏极接触孔开口，且硅化金属层可降低接触阻抗值。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括：在基板上形成多晶硅岛状物；在该多晶硅岛状物上形成图案化栅极介电层与栅极；在该栅极下方两侧的该多晶硅岛状物中形成源极/漏极，而该源极/漏极之间是通道区；在该基板上形成金属层，覆盖该栅极、该图案化栅极介电层与该多晶硅岛状物；使位于该源极/漏极上方的该金属层与该多晶硅岛状物反应而形成硅化金属层；移除未反应的该金属层；形成层间介电层，其覆盖该基板；以及移除该源极/漏极上方的该层间介电层而形成源极/漏极接触孔开口，其中该硅化金属层是作为移除终止层。