使用紫外线辐射使含硅薄膜低温外延生长的方法

摘要

本发明公开了一种制备干净衬底表面以进行均厚沉积或选择性均厚外延沉积含硅和/或含锗薄膜的方法，本发明还公开一种生长该含硅和/或含锗薄膜的方法，其中衬底清洗方法与薄膜生长方法是在低于750℃的温度下进行，且该温度通常约在700℃至500℃之间。在该清洗与该薄膜生长方法中，在用来生长含硅薄膜的处理体积内使用一波长约为310至120纳米之间的辐射。该辐射与特定分压范围的活性清洗物或形成薄膜的组成物种并用时，可在低于众所周知的温度下进行衬底清洗与薄膜外延生长。

主权项

1、一种清洗及钝化衬底表面的方法，以提供允许进行含硅薄膜的外延生长的一表面，该清洗与钝化方法包含使多种氢物种与该衬底表面接触，且在进行该清洗与钝化方法的处理体积内，合并使用一波长范围约在310至120纳米的辐射，其中该辐射的功率密度至少为1毫瓦特/平方厘米，并于低于750℃的温度下进行该清洗及钝化方法。