| 发明名称 | 氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。 | ||
| 申请公布号 | CN1929090A | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200610110151.8 | 申请日期 | 2006.08.07 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中畑成二;上松康二;中幡英章 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L33/00(2006.01);C30B29/38(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体器件的制作方法，其特征是：包括：在包含封闭曲线状形成的缺陷集合区域(H)和由缺陷集合区域(H)围住的低缺陷区域(ZY)的氮化物半导体(AlxInyGa1-x-yN：0≤x≤1、0≤y≤1、x+y≤1)缺陷位置控制基板(S)上，叠层用于构成器件的多个氮化物半导体层(AlujInvjGa1-uj-vjN：0≤uj≤1、0≤vj≤1、uj+vj≤1)，从而形成上层部(B)的工序；和从缺陷位置控制基板(S)上下分离上层部(B)的工序，与该上下分离工序同时在横向沿着缺陷集合区域(H)分离上层部(B)而分离成各个芯片，并且再利用缺陷位置控制基板(S)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||