薄膜半导体器件、电光装置及其制造方法和电子设备

摘要

本发明的课题是提供可与栅电极的形状或低浓度区(1b，1c)长度无关地高精度地控制低浓度区(1b，1c)长度的薄膜半导体器件的制造方法。首先，在基板(10A)上依次形成预定的图形的半导体膜(1)、栅绝缘膜(2)、和锥形形状的栅电极(3c)，以栅电极(3c)为掩模在半导体膜(1)中注入低浓度的杂质。其次，在形成了栅电极(3c)的透光性基板(10A)上形成了由2种以上的绝缘膜构成的层叠绝缘膜后，进行全面刻蚀，形成层叠绝缘膜(8x)，使至少1层的绝缘膜成为其宽度比栅电极(3c)的宽度宽且比半导体膜(1)的宽度窄的预定的图形。其次，以层叠绝缘膜(8x)为掩模在半导体膜(1)中注入高浓度的杂质。

主权项

1.一种薄膜半导体器件的制造方法，在具备具有源区、沟道区和漏区的半导体膜和经栅绝缘膜与该半导体膜对置的栅电极，同时在上述源区和上述漏区中分别形成了杂质浓度相对地高的高浓度区和相对地低的低浓度区的薄膜半导体器件的制造方法中，其特征在于，具有下述工序：在基板上形成预定的图形的半导体膜的工序；在上述半导体膜上形成栅绝缘膜的工序；在上述栅绝缘膜上形成具有锥形形状的栅电极的工序；以上述栅电极为掩模、在上述半导体膜中注入低浓度的杂质的工序；在形成了上述栅电极的上述基板上层叠2种或2种以上的不同的绝缘膜以形成层叠绝缘膜的工序；进行上述层叠绝缘膜的全面刻蚀、将上述层叠绝缘膜中至少1层绝缘膜形成为比上述栅电极宽度宽且比上述半导体膜宽度窄的预定的图形的工序；以及将以预定的图形形成的上述层叠绝缘膜为掩模、在上述半导体膜中注入高浓度的杂质的工序。