发明名称 用于高密度封装应用的高性能的散热器结构
摘要 一种用于从集成电路器件中汲取热量的增强的散热装置,包括具有上下外表面区域的导热的芯子。所述装置还包括沿径向延伸的针状散热片结构的第一阵列。所述第一阵列和上表面区域呈热连接,使得在芯子和第一阵列周围引入的冷却介质在芯子和第一阵列周围产生一个全向流,从而增强从所述集成电路器件的散热。所述芯子包括第一阵列和下表面区域,它们的具有足够的尺寸,使得当把所述散热装置安装到所述集成电路器件上时,能够使母板上的元件被安装在所述集成电路器件上。
申请公布号 CN1305131C 申请公布日期 2007.03.14
申请号 CN01822171.8 申请日期 2001.10.31
申请人 英特尔公司 发明人 S·李
分类号 H01L23/467(2006.01);H01L23/367(2006.01) 主分类号 H01L23/467(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 肖春京;章杜杲
主权项 1.一种散热装置,其特征在于,包括:导热的芯子,其中所述芯子具有一个轴线,所述芯子具有底部,用于安装在集成电路器件上,所述底部垂直于所述轴线,并且所述芯子具有和所述轴线同心的并分别具有第一和第二长度的上、下外表面区域;沿径向延伸的散热片结构的第一阵列,所述第一阵列沿着第一长度和所述上外表面区域呈热连接,其中第一阵列具有第一外径,以及沿径向延伸的散热片结构的第二阵列,其中所述第二阵列沿着第二长度和所述下外表面区域相连,其中所述第二阵列具有第二外径,所述第二外径小于所述第一外径,其中所述第二长度和所述第二外径的尺寸被这样确定,使得可以在第一阵列的下方提供足够的空间,从而当把散热装置的底部安装在集成电路器件上时,元件可被安装在所述下外表面区域周围并靠近所述下外表面区域并处在所述第一阵列下方。
地址 美国加利福尼亚州