通过ILD柱结构性加强多孔隙、低K介电薄膜

摘要

机械加强多孔隙、低k介电材料，使得能够使用这些低k材料作为高级集成电路中的层间电介质，例如那些在Cu大马士革互连技术中加入多孔隙ILD材料的集成电路。使用这种机械加强的ILD的集成电路通常包括具有在其中互连的电气元件的基底、放置在基底上方的第一介电层、放置在第一介电层上方的多个电绝缘结构和放置在第一介电层上方的第二介电层，第二介电层环绕多个结构。制造机械加强的、多孔隙、低k的ILD的处理通常包括在基底上形成第一介电层、给第一介电层构图，从而形成多个结构，结构各具有一个上表面、在结构上方和周围形成第二介电层，第二介电层具有一个上表面、以及抛光第二介电层，使其上表面与结构上表面大致一般齐。结构可以是矩形柱体或更复杂的几何形状。结构可以是相同的或各种形状的组合。

主权项

1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：在第一介质层上形成第二介质层，其中第二介质层具有介电常数；给第二介质层加工图案，从而形成多个垂直方向的柱体，这些柱体各自有一个上表面；在柱体的上方和周围形成第三介质层，第三介质层有一个上表面并且填充所述柱体周围的区域，其中第三介质层具有介电常数，所述第二介质层的介电常数大于所述第三介质层的介电常数；其中所述多个垂直方向的柱体用于提供机械加强的第三介质层；抛光第三介质层，使其上表面与柱体上表面一般齐；以及在形成第三介质层之后，在第三介质层形成嵌入的金属互连。