| 发明名称 | 电摄影光电导体用基体以及使用该基体的电摄影光电导体 | ||
| 摘要 | 一种用于电摄影光电导体的基体，其可达到容许值(Y<SUB>20</SUB>)为70μS或更低，且膜在垂直方向上的生长受到抑制，并具有均匀的高可湿性的表面。该基体是通过下述方法制得的，即用于在其表面上具有铝阳极氧化膜的电摄影光电导体铝基体，在形成铝阳极氧化膜后，用混合有磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物或双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的封闭剂进行封闭处理。将如此制得用于电摄影光电导体的基体用于电摄影光电导体中。 | ||
| 申请公布号 | CN1304905C | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN98117574.0 | 申请日期 | 1998.07.15 |
| 申请人 | 富士电机电子技术株式会社 | 发明人 | 矢萩秀隆;田村幸久;坂口雅章;中岸丰 |
| 分类号 | G03G5/10(2006.01);C25D11/24(2006.01) | 主分类号 | G03G5/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 黄淑辉 |
| 主权项 | 1、一种制备用于电摄影光电导体的基体的方法，包括下列步骤：在铝基体的表面上形成阳极氧化膜；向封闭剂中加入选自磷酸酯型表面活性剂、萘磺酸盐型甲醛缩合物和双酚A磺酸盐型甲醛缩合物的添加剂以制备封闭剂混合物，所述封闭剂选自醋酸镍或纯水；以及用所述封闭剂混合物向所述基体提供封闭处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||