Method of Manufacturing for Memory Device comprising Silicon Rich Silicon Oxide Layer,申请号KR20050011733-传众专利搜索

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发明名称	Method of Manufacturing for Memory Device comprising Silicon Rich Silicon Oxide Layer
摘要
申请公布号	KR100695140(B1)	申请公布日期	2007.03.14
申请号	KR20050011733	申请日期	2005.02.12
申请人		发明人
分类号	H01L27/115	主分类号	H01L27/115
代理机构		代理人
主权项
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