| 主权项 |
1.一种内部电压产生器,用于一半导体记忆体装置 中,包括: 一单元板电压产生装置,用以接收一外部电源电压 藉以产生一施加至单位单元之单元板电压; 一驱动电压产生装置,用以接收一外部电源电压藉 以输出一具有第一参考电压位准之驱动电压;以及 一位元线预充电电压产生装置,用以接收该驱动电 压藉以输出一具有第二参考电压位准之位元线预 充电电压, 其中该位元线预充电电压产生装置包括: 一半驱动电压产生装置,用以接收该驱动电压藉以 产生该位元线预充电电压; 一第二参考电压产生装置,用以产生该第二参考电 压;以及 一位元线预充电电压释放装置,用以释放一剩余电 压。 2.如申请专利范围第1项所述之内部电压产生器,其 中该第二参考电压具有该驱动电压之约一半电压 位准。 3.如申请专利范围第2项所述之内部电压产生器,其 中当该位元线预充电电压大于该第二参考电压时, 该剩余电压系该位元线预充电电压减去该第二参 考电压之値。 4.如申请专利范围第3项所述之内部电压产生器,其 中该位元线预充电电压释放装置包括: 一位准感测装置,用以藉由比较该第二内部电压与 该第二参考电压以感测该第二内部电压之位准,藉 以输出一位准感测信号; 一初始化装置,用以初始化该位准感测装置,以回 应一电力开启信号;以及 一放电驱动装置,用以释放该剩余电压,以回应该 位准感测信号。 5.如申请专利范围第4项所述之内部电压产生器,其 中使用一连接于该第二内部电压与接地电压间之 NMOS电晶体来实施该放电驱动装置,其中该NMOS电晶 体之闸极接收该位准感测信号。 6.一种内部电压产生器,用于一半导体记忆体装置 中,包括: 一驱动电压产生装置,用以接收一外部电源电压藉 以输出一具有第一参考电压位准之驱动电压;以及 一位元线预充电电压产生装置,用以接收该驱动电 压藉以输出一具有第二参考电压位准之位元线预 充电电压, 其中该位元线预充电电压产生装置包括: 一半驱动电压产生装置,用以接收该驱动电压藉以 产生该位元线预充电电压; 一第二参考电压产生装置,用以产生该第二参考电 压;以及 一位元线预充电电压释放装置,用以释放一剩余电 压。 7.如申请专利范围第6项所述之内部电压产生器,其 中该第二参考电压具有该驱动电压之约一半电压 位准。 8.如申请专利范围第7项所述之内部电压产生器,其 中当该位元线预充电电压大于该第二参考电压时, 该剩余电压系该位元线预充电电压减去该第二参 考电压之値。 9.如申请专利范围第8项所述之内部电压产生器,其 中该位元线预充电电压释放装置包括: 一位准感测装置,用以藉由比较该第二内部电压与 该第二参考电压以感测该第二内部电压之位准,藉 以输出一位准感测信号; 一初始化装置,用以初始化该位准感测装置,以回 应一电力开启信号;以及 一放电驱动装置,用以释放该剩余电压,以回应该 位准感测信号。 10.如申请专利范围第9项所述之内部电压产生器, 其中使用一连接于该第二内部电压与接地电压间 之NMOS电晶体来实施该放电驱动装置,其中该NMOS电 晶体之闸极接收该位准感测信号。 图式简单说明: 第1图系依据传统技艺在一传统半导体记忆体装置 中之一内部电压产生器的方块图; 第2图系在一般半导体记忆体装置中之一核心区块 的示意电路图; 第3A图系显示第2图所示之核心区块的操作之时序 图; 第3B图系显示电源电压VCORE之电压位准变化的图式 ; 第4A图系一单位记忆体单元及一位元线之示意图; 第4B图系第4A图所示之单位记忆体单元及该位元线 之另一图式; 第5图系显示依据本发明之一较佳实施例在一半导 体记忆体装置中之一内部电压产生器的方块图; 第6图系第5图所示之VBLP释放区块的示意电路图;以 及 第7图系显示本发明之内部电压的位准变化以回应 该记忆体单元之存取的图式。 |
