| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,该方法包括: 第一步骤,在下接线层形成由低介电定绝缘材料所 构成之夹层介电层,及一感光绝缘膜; 第二步骤,将该感光绝缘膜加以曝光及显影,用以 于该夹层介电层上形成由该感光绝缘膜构成之硬 式罩幕,其中该硬式罩幕界定一上接线层之接线图 案及该接线层之通孔位置; 第三步骤,使用微影技术将一防蚀罩幕沈积在其上 具有该硬式罩幕之夹层介电层上,以形成一具通孔 图案之防蚀膜用于该下接线; 第四步骤,使用该防蚀罩幕将该夹层介电层之部分 进行各向异性蚀刻,以形成一通孔之部分;及 第五步骤,移除该防蚀罩幕,然后使用该硬式罩幕 将该夹层介电层进行各向异性蚀刻,用以在该通孔 之上形成该上接线层之接线渠沟,以便与该通孔连 通,并使该通孔能达到该下接线层,俾将下接线层 曝光。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一步骤中, 使用一非氟有机聚合物作为该低介电定绝缘材料, 并使用一感光矽氮烷作为该感光绝缘膜。 3.如申请专利范围第1项之方法,在该第五步骤后尚 包括一第六步骤,系将该通孔及该接线渠沟皆以一 接线材料予以填补,然后将该产生之表面以化学机 械研磨法(CMP)处理,用以形成具有该上接线层之双 镶嵌结构,该上接线层系经由该通孔中形成之互连 插头而以电连接至该下接线层。 4.如申请专利范围第2项之方法,在该第五步骤后尚 包括一第六步骤,系将该通孔及该接线渠沟皆以一 接线材料予以填补,然后将该产生之表面以化学机 械研磨法(CMP)处理,用以形成具有该上接线层之双 镶嵌结构,该上接线层系经由该通孔中形成之互连 插头而以电连接至该下接线层。 图式简单说明: 图1A至1D系以概略的剖面图,根据本发明一实例说 明制造一半导体装置的方法中,其连续步骤; 图2A至2D系以概略的剖面图,根据本发明该一实例 说明制造一半导体装置的方法中,其连续步骤; 图3A至3D系以概略的剖面图,说明制造一半导体装 置的习用方法中,其连续步骤;及 图4A至4E系以概略的剖面图,说明制造一半导体装 置的习用方法中,其连续步骤。 |
