| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,是以电浆处理方式处理介电 性被处理基板的装置,其特征为,具备有: 直接载置被处理基板的电极; 向上述电极方向挤压上述电极上的被处理基板周 缘的挤压机构; 向被处理基板附近供应处理用气体的处理用气体 供应机构; 在被处理基板附近生成处理用气体的电浆的电浆 生成手段;以及 连接在上述电极,对上述电极施加直流电压的直流 电源。 2.一种电浆处理装置,是以电浆处理方式处理介电 性被处理基板的装置,其特征为,具备有: 在表面形成有100m以下的介电体层,经由此介电 体层载置被处理基板的电极; 向上述电极方向挤压上述电极上的被处理基板周 缘的挤压机构; 向被处理基板附近供应处理用气体的处理用气体 供应机构; 在被处理基板附近生成处理用气体的电浆的电浆 生成手段;以及 连接在上述电极,对上述电极施加直流电压的直流 电源。 3.如申请专利范围第1项或第2项所述之电浆处理装 置,其中 具备有,连接在上述电极,对上述电极施加高频电 力的高频电源。 4.一种电浆处理装置,是以电浆处理方式处理介电 性被处理基板的装置,其特征为,具备有: 收容被处理基板的处理室; 设在上述处理室内,用以直接载置被处理基板的下 部电极; 设在上述处理室内,面向上述下部电极的上部电极 ; 向上述处理室内供应处理用气体的处理用气体供 应机构; 将上述处理室内排气的排气机构; 向上述下部电极及上述上部电极的至少一方供应 高频电力,在上述下部电极与上述上部电极间的处 理空间生成处理用气体的电浆的高频电源; 向上述下部电极方向挤压上述下部电极上的被处 理基板周缘的挤压机构;以及 连接在上述下部电极,对上述下部电极施加直流电 压的直流电源。 5.一种电浆处理装置,是以电浆处理方式处理介电 性被处理基板的装置,其特征为,具备有: 收容被处理基板的处理室; 设在上述处理室内,在表面形成有100m以下的介 电体层,经由此介电体层载置被处理基板的下部电 极; 设在上述处理室内,面向上述下部电极的上部电极 ; 向上述处理室内供应处理用气体的处理用气体供 应机构; 将上述处理室内排气的排气机构; 向上述下部电极及上述上部电极的至少一方供应 高频电力,在上述下部电极与上述上部电极间的处 理空间生成处理用气体的电浆的高频电源; 向上述下部电极方向挤压上述下部电极上的被处 理基板周缘的挤压机构;以及 连接在上述下部电极,对上述下部电极施加直流电 压的直流电源。 6.如申请专利范围第4项或第5项所述之电浆处理装 置,其中 上述上部电极是由向上述处理室内吐出处理用气 体的莲蓬头所构成。 7.如申请专利范围第1、2、4、5项中任一项所述之 电浆处理装置,其中 上述被处理基板呈矩形状,上述挤压机构呈框架状 。 8.如申请专利范围第1、2、4、5项中任一项所述之 电浆处理装置,其中 上述被处理基板的最长部分的长度为1100mm以上。 9.如申请专利范围第1、2、4、5项中任一项所述之 电浆处理装置,其中 上述被处理基板是玻璃构成的矩形基板,长边为800 mm以上。 10.如申请专利范围第9项所述之电浆处理装置,其 中 上述被处理基板的厚度为1.5mm以下。 11.一种电浆处理方法,是对载置于电极的介电性被 处理基板施加电浆处理的方法,其特征为;包含有: 在上述电极直接载置被处理基板的制程; 向上述电极方向挤压所载置的被处理基板周缘部 的制程; 然后,在上述电极施加直流电压的制程;以及 生成处理用气体的电浆,对被处理基板施加电浆处 理的制程。 12.一种电浆处理方法,是对载置于电极的介电性被 处理基板施加电浆处理的方法,其特征为;包含有: 经由100m以下的介电体层在上述电极载置被处理 基板的制程; 向上述电极方向挤压所载置的被处理基板周缘部 的制程; 然后,在上述电极施加直流电压的制程;以及 生成处理用气体的电浆,对被处理基板施加电浆处 理的制程。 13.如申请专利范围第11项或第12项所述之电浆处理 方法,其中 上述被处理基板的最长部分的长度为1100mm以上。 14.如申请专利范围第11项或第12项中任一项所述之 电浆处理方法,其中 上述被处理基板是玻璃构成的矩形基板,长边为800 mm以上。 15.如申请专利范围第14项所述之电浆处理方法,其 中 上述被处理基板的厚度为1.5mm以下。 图式简单说明: 第1图是以模式方式表示本发明实施形态的电浆蚀 刻装置的截面图。 第2图是表示将基板以静电吸着在第1图的电浆蚀 刻装置之基板保持台的状态的模式图。 第3图是说明第1图的电浆蚀刻装置的处理动作的 流程图。 第4图是表示没有挤压机构时,在基板保持台的基 板载置状态的截面图。 第5图是表示在第1图的电浆蚀刻装置,挤压机构挤 压载置于基板保持台的基板的状态的截面图。 |
