| 主权项 |
1.一种防止非晶矽层在湿式去光阻制程中受损之 方法,该方法至少包括下列步骤: 提供一半导体基材; 形成一非晶矽层于该半导体基材之上; 形成至少一材料层于该非晶矽层之上; 利用一图案化之光阻层作为蚀刻罩幕,以完成一蚀 刻制程而暴露出部分的该非晶矽层表面;以及 形成一原始氧化层于该非晶矽层之暴露的表面上 。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该原始氧 化层之步骤包括使用氧电浆。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧电浆进行 之时间约为50~100分钟。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧电浆进行 之时间约为70分钟。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧电浆使用 之温度约为150℃。 6.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧电浆使用 之电源功率约为500~800W。 7.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧电浆使用 之氧气流量约为50~100sccm。 8.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧电浆使用 之氧气流量约为80sccm。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中在形成该原始 氧化层之步骤后,更包括去除该光阻层之步骤。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中去除该光阻 层之步骤包括使用ACT公司所产制之ACT系列的去光 阻液。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中去除该光阻 层之步骤包括使用ACT公司所产制之ACT系列的去光 阻液进行两阶段的湿式去光阻。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该每一阶段 的湿式去光阻时间约为8~15分钟。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中该每一阶段 的湿式去光阻时间约为12分钟。 14.如申请专利范围第9项之方法,其中在去除该光 阻层之后,更包括清洗该半导体基材之步骤。 15.一种去光阻方法,适用于一半导体基材上,该半 导体基材上已形成一非晶矽层,该方法至少包括下 列步骤: 形成一第一原始氧化层于该非晶矽层上; 形成一图案化之光阻层于该第一原始氧化层上; 以该图案化之光阻层为罩幕,选择性地蚀刻该非晶 矽层及该第一原始氧化层,以暴露出部分的该非晶 矽层表面; 形成一第二原始氧化层于该暴露的非晶矽层表面 上;以及 去除该光阻层。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中形成该第一 及第二原始氧化层之步骤包括使用氧电浆。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧电浆进 行之时间约为50~100分钟。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧电浆进 行之时间约为70分钟。 19.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧电浆使 用之温度约为150℃。 20.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧电浆使 用之电源功率约为500~800W。 21.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧电浆使 用之氧气流量约为50~100sccm。 22.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧电浆使 用之氧气流量约为80sccm。 23.如申请专利范围第15项之方法,其中去除该光阻 层之步骤包括使用ACT公司所产制之ACT系列的去光 阻液。 24.如申请专利范围第15项之方法,其中去除该光阻 层之步骤包括使用ACT公司所产制之ACT系列的去光 阻液进行两阶段的湿式去光阻。 25.如申请专利范围第15项之方法,其中该每一阶段 的湿式去光阻时间约为8~15分钟。 26.如申请专利范围第15项之方法,其中该每一阶段 的湿式去光阻时间约为12分钟。 27.如申请专利范围第15项之方法,其中在去除该光 阻层之后更包括清洗该半导体基材之步骤。 图式简单说明: 第1图所示为典型DLP的操作原理示意图; 第2A~C图分别显示使用ACT去光阻液造成DLP晶片上之 非晶矽层损害情形的电子显微镜图,其中第2A图显 示因非晶矽层受损而造成部分铝镜失焦及消失的 情形,第2B图显示在铝镜释放前非晶矽层之损害情 形,及第2C图为第2B图中之非晶矽层损害情形的局 部放大图; 第3A~D图所示为根据本发明之一实施例进行去光阻 的制程剖面示意图; 第4图所示为根据本发明之另一实施例进行去光阻 的流程图;以及 第5图所示为利用本发明之方法对一图案化之晶圆 进行非晶矽层损害实验的电子显微镜剖面图。 |
