| 主权项 |
1.一种化学机械研磨用之研磨垫,其包括本体、研 磨表面及复数个延长孔,其中10%或以上之延长孔之 纵横比为2:1或以上且实质上沿于与该研磨表面共 平面之方向定向。 2.如请求项1之研磨垫,其中10%或以上之延长孔之纵 横比为5:1或以上。 3.如请求项1之研磨垫,其中50%或以上之延长孔之纵 横比为2:1或以上。 4.如请求项1之研磨垫,其中该研磨垫之本体具有一 由该研磨垫之研磨表面与下表面之间距所界定之 厚度,且其中该等延长孔系位于该研磨垫本体厚度 之上部20%或更大处。 5.如请求项1之研磨垫,其中该研磨垫进一步包含复 数个纵横比为2:1或以下之孔。 6.如请求项1之研磨垫,其中该研磨垫包括一聚合物 树脂。 7.如请求项6之研磨垫,其中该聚合物树脂系选自由 以下各物组成之群之热塑性弹性体聚合物树脂:聚 胺基甲酸酯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚碳酸 酯、聚丙烯酸、聚芳醯胺、聚烯烃、聚乙烯、聚 丙烯、耐纶、氟碳化合物、聚酯、聚醚、聚醯胺 、聚醯亚胺、聚四氟乙烯、聚醚醚酮、其共聚物 及其混合物。 8.如请求项7之研磨垫,其中该热塑性弹性体聚合物 树脂系聚胺基甲酸酯树脂。 9.如请求项6之研磨垫,其中该聚合物树脂之黏度在 18.6s-1之剪切速率及210℃之温度下为700 Pa-s。 10.如请求项1之研磨垫,其中该研磨垫之密度系该 聚合物树脂最大理论密度的70%或以上。 11.如请求项1之研磨垫,其中该研磨垫之孔隙体积 为2%或以上。 12.如请求项10之研磨垫,其中该研磨垫之孔隙体积 为5%或以上。 13.如请求项12之研磨垫,其中该研磨垫之孔隙体积 为30%或以下。 14.如请求项1之研磨垫,其中该研磨垫之孔隙体积 为50%或以下。 15.如请求项1之研磨垫,其中该研磨垫系一研磨层 且与一研磨副垫相配。 16.如请求项1之研磨垫,另外包括一个或多个在200 奈米至10,000奈米之波长下透光度为10%或以上之区 域。 17.如请求项1之研磨垫,其中该研磨表面之表面粗 糙度为1至3 micron Ra。 18.一种研磨基材之方法,包括: (i) 提供一欲研磨基材, (ii) 使该基材与一包含请求项1之研磨垫及研磨组 合物之研磨系统接触,及 (iii) 用该研磨系统研磨掉至少部分该基材来研磨 该基材。 图式简单说明: 图1系本发明之研磨垫之一部分之扫描电子显微镜 (SEM)照片。 |
