| 主权项 |
1.一种表面发射式半导体雷射组件,特别是电性泵 送之半导体雷射组件,包括:一垂直式发射元件,其 藉由一外部之光学共振器(4,5)以产生雷射辐射;以 及一种半导体本体,其半导体层序列(2)具有一横向 的主延伸方向和一用来产生辐射的活性区(3),其特 征为:共振器内部中配置一种可透过辐射的接触层 (6)且此接触层(6)是与半导体本体导电性地相连接 。 2.如申请专利范围第1项之半导体雷射组件,其中接 触层(6)含有一种氧化物。 3.如申请专利范围第1项之半导体雷射组件,其中接 触层(6)含有一种TCO-材料。 4.如申请专利范围第1之半导体雷射组件,其中接触 层(6)含有ZnO或ITO。 5.如申请专利范围第1项之半导体雷射组件,其中接 触层(6)配置在半导体本体上。 6.如申请专利范围第2项之半导体雷射组件,其中接 触层(6)配置在半导体本体上。 7.如申请专利范围第1项之半导体雷射组件,其中接 触层(6)在活性区(3)和共振器(4,5)之外部镜面(5)之 间配置在直接之辐射通道中。 8.如申请专利范围第2项之半导体雷射组件,其中接 触层(6)在活性区(3)和共振器(4,5)之外部镜面(5)之 间配置在直接之辐射通道中。 9.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷射 组件,其中该共振器由一种布拉格镜面(4)所限定。 10.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中半导体本体在其面向接触层(6)之此侧 上具有至少一p-导电层。 11.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中活性区中所产生的辐射之波长位于不 可见(较佳是红外线)之光谱区域中。 12.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中此半导体雷射组件是一种藉由接触层 (6)以进行电性泵送之半导体雷射组件。 13.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中预制半导体本体且该接触层(6)事后施 加在半导体本体上。 14.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中半导体本体配置在载体(1)上。 15.如申请专利范围第14项之半导体雷射组件,其中 载体(1)是与半导体层序列之生长基板不同。 16.如申请专利范围第14项之半导体雷射组件,其中 载体(1)形成散热件。 17.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中在半导体本体和接触层(6)之间或在该 接触层(6)之远离半导体本体之此侧上设置一种光 学调质器。 18.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中在共振器中设有一种选择元件(13)或 接触层(6)构成该选择元件(13)。 19.如申请专利范围第18项之半导体雷射组件,其中 该选择元件(13)用来选取波长及/或选取该共振器 中该辐射的极化。 20.如申请专利范围第18项之半导体雷射组件,其中 该选择元件(13)具有一种栅格结构(130)。 21.如申请专利范围第20项之半导体雷射组件,其中 该栅格结构(130)至少一部份形成在接触层(6)中。 22.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中在共振器中配置一种非线性之光学元 件,其用来进行频率之转换。 23.如申请专利范围第1至8项中任一项之半导体雷 射组件,其中活性区中所产生的辐射之波长位于200 奈米和2000奈米之间的光谱区域中。 图式简单说明: 第1图 本发明的半导体雷射组件之第一实施例之 切面图。 第2A图 本发明的半导体雷射组件之半导体本体之 俯视图。 第2B图 泵送电流密度之与第2A图相对应的横向外 形。 第3图 本发明的半导体雷射组件之半导体本体之 俯视图。 第4图 本发明的半导体雷射组件之第二实施例之 切面图。 |
