| 主权项 |
1.一种制造具最佳化内应力的涂层之制程,特别是 利用溅镀制程制得的基本上无张应力的涂层,其中 一双极脉冲电压图形系经产生在该靶材(阴极)处, 其特征在于该靶材处之正电压脉冲系以使其取代 该基材上之一偏压的方式来设置。 2.如申请专利范围第1项所述之制程,其特征在于该 正电压脉冲系藉由将一脉冲正电压讯号重叠在该 讯号之一负电位基本形式(negative base form)上来制 造,其中该脉冲正电压讯号的频率、讯号形式、振 幅等可以如预期般设置。 3.如申请专利范围第1项或第2项所述之制程,其特 征在于该正电压脉冲的振幅系介于30和2000伏特之 间,特别是介于40和1800伏特之间,较佳地介于50和 1000伏特之间。 4.如前述申请专利范围第1项所述之制程,其特征在 于该正电压脉冲的持续时间介于1和20微秒(sec) 之间。 5.如前述申请专利范围第1项所述之制程,其特征在 于该正电压脉冲系连同一介于15和450千赫(kHz)之间 的频率来应用。 6.一种用来制造薄膜的溅镀薄膜设备,特别是具最 佳化内应力的薄膜,较佳地利用根据申请专利范围 1至5的任何一项之制程,其特征在于一电压供应装 置,利用该装置可以在该靶材处设置一脉冲正电压 讯号,并且更明确地说利用一可以取代一应用至该 基材的偏压之电力。 7.如申请专利范围第6项所述之溅镀薄膜设备,其特 征在于一讯号产生器系经提供以在该靶材处制造 该电压,其中该讯号产生器产生该讯号之负电位基 本形式和该正电压讯号两者。 图式简单说明: 第1图:靶材处之电位的典型图形; 第2图:在利用一高频率偏压来沈积的薄膜中之内 应力的降低及特殊电阻的增加;以及 第3图:在利用根据本发明之制程来沈积的薄膜中 之内应力的降低或反转。 |
