| 主权项 |
1.一种具微通道之有机电路板结构,系包括: 一有机电路板; 至少一通道层,系形成于该有机电路板上; 复数个微通道,系形成于该通道层内;以及 一覆盖层,系形成于该通道层上,藉以覆盖该些微 通道。 2.如申请专利范围第1项之结构,复包括形成于该通 道层及该等微通道表面之保护层。 3.如申请专利范围第2项之结构,其中,该保护层为 一耐腐蚀性之金属保护层。 4.如申请专利范围第3项之结构,其中,该金属保护 层系为镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、钒(V)、铍(Be )、铝(Al)、铬(Cr)、镁铝合金(Mg-Al)、镍合金(Ni-Fe )所组群组之其中一者。 5.如申请专利范围第1项之结构,其中,该通道层为 一有机介电层及金属层其中一者。 6.如申请专利范围第5项之结构,其中,该金属层之 材质为铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)、钛(Ti)、铱(Ir)、钒(V )、铍(Be)、镁铝合金(Mg-Al)、镍合金(Ni-Fe)所组群 组之其中一者。 7.如申请专利范围第2项之结构,其中,该保护层为 一耐腐蚀性之有机保护层。 8.如申请专利范围第1项之结构,其中,该有机电路 板为具有单层及多层导电线路其中一者。 9.如申请专利范围第1项之结构,复包括于该覆盖层 之表面具有一线路增层结构。 10.如申请专利范围第9项之结构,其中,该线路增层 结构系包括至少一有机介电层、叠置于该有机介 电层上之线路层,以及形成于该有机介电层中之导 电结构。 11.如申请专利范围第9项之结构,复包括于该线路 增层结构外表面形成有一绝缘保护层。 12.如申请专利范围第1项之结构,复包括于该覆盖 层之表面具有另一通道层,且该通道层具有微通道 ,俾以形成多层微通道之结构。 13.如申请专利范围第1项之结构,其中,该覆盖层系 为有机高分子、金属及陶瓷材料其中一者。 14.一种具微通道之有机电路板结构之制法,系包括 : 提供一有机电路板; 于该有机电路板表面形成至少一通道层; 于该通道层表面形成一阻层,并令该阻层形成有复 数个外露该通道层之开口; 于外露该阻层开口之通道层中形成复数个微通道, 并移除该阻层;以及 于该通道层上形成覆盖层,以覆盖该些微通道。 15.如申请专利范围第14项之制法,复包括于通道层 及微通道表面形成一保护层。 16.如申请专利范围第15项之制法,其中,该保护层为 一耐腐蚀性之有机保护层。 17.如申请专利范围第15项之制法,其中,该保护层为 一耐腐蚀性之金属保护层。 18.如申请专利范围第17项之制法,其中,该耐腐蚀性 之金属保护层系为镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、 钒(V)、铍(Be)、铝(Al)、铬(Cr)、镁铝合金(Mg-Al)、镍 合金(Ni-Fe)所组群组之其中一者。 19.如申请专利范围第14项之制法,其中,该通道层为 一金属层及有机介电层其中一者。 20.如申请专利范围第19项之制法,其中,该金属层之 材质为铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)、钛(Ti)、铱(Ir)、钒(V )、铍(Be)、镁铝合金(Mg-Al)、镍合金(Ni-Fe)所组群 组之其中一者。 21.如申请专利范围第14项之制法,其中,该有机电路 板为具有单层及多层导电线路其中一者。 22.如申请专利范围第14项之制法,复包括于该覆盖 层之表面形成一线路增层结构。 23.如申请专利范围第22项之制法,其中,该线路增层 结构系包括至少一有机介电层、叠置于该有机介 电层上之线路层,以及形成于该有机介电层中之导 电结构。 24.如申请专利范围第22项之制法,复包括于该线路 增层结构外表面形成有一绝缘保护层。 25.如申请专利范围第14项之制法,复包括于该覆盖 层之另一表面形成另一通道层,并于该通道层形成 微通道,且在该通道层表面形成另一覆盖层,俾以 形成多层微通道之有机电路板结构。 26.如申请专利范围第14项之制法,其中,该覆盖层系 为有机高分子、金属及陶瓷材料其中一者。 27.一种具微通道之有机电路板结构之制法,系包括 : 在一有机电路板表面形成至少一通道层; 将一表面形成有复数微凸部之模具压合于该通道 层之表面,并使该些微凸部嵌合于该通道层中; 移除该模具,藉以在该通道层表面形成复数微通道 ;以及 于该通道层上形成覆盖层,以覆盖该些微通道。 28.如申请专利范围第27项之制法,复包括于该微通 道表面形成一保护层。 29.如申请专利范围第28项之制法,其中,该保护层为 耐腐蚀性之有机保护层。 30.如申请专利范围第28项之制法,其中,该保护层为 耐腐蚀性之金属保护层。 31.如申请专利范围第30项之制法,其中,该金属保护 层系为镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、钒(V)、铍(Be )、铝(Al)、铬(Cr)、镁铝合金(Mg-Al)、镍合金(Ni-Fe )所组群组之其中一者。 32.如申请专利范围第27项之制法,其中,该通道层为 有机介电层。 33.如申请专利范围第27项之制法,其中,该模具之材 质为金属。 34.如申请专利范围第27项之制法,其中,该有机电路 板为单层及多层之导电线路之其中一者。 35.如申请专利范围第27项之制法,复包括于该覆盖 层之表面形成一线路增层结构。 36.如申请专利范围第35项之制法,其中,该线路增层 结构系包括至少一有机介电层、叠置于该有机介 电层上之线路层,以及形成于该有机介电层中之导 电结构。 37.如申请专利范围第35项之制法,复包括于该线路 增层结构外表面形成有一绝缘保护层。 38.如申请专利范围第27项之制法,复包括于该覆盖 层之另一表面形成另一通道层,并于该通道层形成 微通道,且在该通道层表面形成另一覆盖层,俾以 形成多层微通道之有机电路板结构。 39.如申请专利范围第27项之制法,其中,该覆盖层系 为有机高分子、金属及陶瓷材料其中一者。 图式简单说明: 第1A图至第1G图系为本发明之具微通道之有机电路 板结构之制法第一实施例之剖面示意图; 第1E'图系为第1E图之另一实施例之剖面示意图; 第1F'图系为第1F图之另一实施例之剖面示意图; 第2A图至第2F图系为本发明之具微通道之有机电路 板结构之制法第二实施例之剖面示意图; 第2E'图系为第2E图之另一实施例之剖面示意图; 第2F'图系为第2F图之另一实施例之剖面示意图; 第3A及3B图系为本发明之具微通道之有机电路板结 构第三实施例之剖面示意图;以及 第4图系为本发明之具微通道之有机电路板结构第 四实施例之立体示意图。 |
