发明名称 热处理装置
摘要 本发明之目的系提供一种构造较简单且可抑制随着基板的热处理而产生的生成气体被冷却后产生所谓的昇华物之热处理装置。该热处理装置1中之基板处理部5具备有:空气调整部11,系具有用以供给热风的热风供给机构14者;及热处理室12,系用以热处理基板者。热处理装置1配置有担载有触媒的触媒壁40,该触媒系用以促进于热处理室12的最下游侧处理基板时所产生的生成气体之氧化分解。因此,热处理装置1其因生成气体的冷却而产生所谓的昇华物之产生量极少。又,热处理装置1由于于生成气体的氧化分解时会产生反应热,故仅需要用以于热处理时加热混合气体的消耗电力即可。
申请公布号 TWI275762 申请公布日期 2007.03.11
申请号 TW094120473 申请日期 2005.06.20
申请人 爱斯佩克股份有限公司 发明人 矢正男
分类号 F27B5/05(2006.01) 主分类号 F27B5/05(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种热处理装置,具备有: 热风供给机构,系用以供给热风者;及 加热室,系用以被导入于该热风供给机构产生的热 风,且藉着该热风加热被加热物者;其特征在于: 于伴随着被加热物的加热而产生的生成气体所流 动的区域中,配置有用以将前述生成气体氧化分解 的生成气体分解机构。 2.一种热处理装置,具备有: 热风供给机构,系用以供给热风者;及 加热室,系用以被导入于该热风供给机构产生的热 风,且藉着该热风加热被加热物者;其特征在于: 于加热室的内部具有用以配置被加热物之被加热 物配置区域,又,位于热风流动方向的该被加热物 配置区域的下游侧、即伴随着被加热物的加热而 产生的生成气体所流动的区域中,被配置有用以将 前述生成气体氧化分解的生成气体分解机构。 3.如请求项1或2之热处理装置,其中加热室藉着与 热风供给机构相通的上游壁、与该上游壁相对的 下游壁及与上游壁及下游壁相交叉的方向上延伸 的分隔壁包围,且下游壁的一部份或全部以生成气 体分解机构构成。 4.如请求项1或2之热处理装置,其中生成气体分解 机构系于触媒基体担载有用以促进生成气体的氧 化分解的触媒者。 5.如请求项1或2之热处理装置,其中生成气体分解 机构系于触媒基体担载有包含贵金属或贵金属合 金之触媒者。 6.如请求项1或2之热处理装置,其中生成气体分解 机构系于触媒基体担载有用以促进生成气体的氧 化分解的触媒者,且触媒基体系经形成多数的生成 气体流路的蜂窝状物。 7.如请求项1或2之热处理装置,其中生成气体分解 机构系于触媒基体担载有用以促进生成气体的氧 化分解的触媒者,且触媒基体系形成多数的生成气 体流路者,其厚度于30 mm以上、80 mm以下之范围内 。 8.如请求项1或2之热处理装置,其中设置有用以将 于生成气体分解机构产生的分解气体送回至热风 供给机构之循环流路。 9.如请求项1或2之热处理装置,其中生成气体分解 机构被设置于生成气体的流动方向上的有可能流 入外气部位的上游侧。 10.如请求项1或2之热处理装置,其中热风供给机构 可将包含于生成气体分解机构产生的分解气体及 由外部导入的空气之混合气体加热、供给至加热 室。 11.如请求项1或2之热处理装置,其中被加热物系于 平板状的基板表面经涂布预定液体者。 图式简单说明: 图1系显示本发明之一实施形态之热处理装置之正 视图。 图2系显示图1所示之热处理装置的内部构造的一 部份之解剖立体图。 图3系显示图1所示之热处理装置的内部构造之概 略之平面图。 图4(a)系概念地显示图1所示之热处理装置之热风 供给机构与热处理室的位置关系之立体图,图4(b) 系图4(a)所示之触媒壁的A部放大图,图4(c)系图4(b) 所示之触媒壁的重要部份之放大立体图。 图5系模式地显示图1所示之热处理装置中空气及 混合气体的流动之概念图。 图6系显示图1所示之热处理装置之变形例之概念 图。
地址 日本