使用含有Si-Si键之有机含矽化合物形成含矽之薄膜的方法,申请号TW093103079-传众专利搜索

发明名称	使用含有Si-Si键之有机含矽化合物形成含矽之薄膜的方法
摘要	本发明系提供一种气化安定性良好之具高度成膜速度者。相较于先行有机含Si化合物可于低温下进行气相成长或液相成长，且，可取得大的膜强度者。本发明含Si薄膜之形成方法其特征系使用含有下式(1)所示Si-Si键之有机含Si化合物形成含Si之薄膜者。惟，R1代表氢或甲基、R2代表甲基、乙基、丙基或第三丁基者。
申请公布号	TWI275659	申请公布日期	2007.03.11
申请号	TW093103079	申请日期	2004.02.10
申请人	三菱综合材料股份有限公司	发明人	斋笃
分类号	C23C16/42(2006.01)	主分类号	C23C16/42(2006.01)
代理机构		代理人	林志刚台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项	1.一种形成含Si薄膜之方法,其特征系使用下式(1) 所示之具Si-Si键之有机含Si化合物,形成含Si薄膜者惟,R1代表氢或甲基、R2代表甲基、乙基、丙基或第三丁基。 2.如申请专利范围第1项之形成含Si薄膜之方法,其中该成膜方法为化学气相成长法或液相成长法。图式简单说明:
地址	日本