| 主权项 |
1.一种薄型化天线,其包括: 一第一辐射元件; 一第二辐射元件;以及 一基板,该基板具有一第一面与一第二面,该第一 辐射元件与该第二辐射元件皆系位在该基板之第 一面,且该基板之第二面具有一第一相对位置与一 第二相对位置,该第一相对位置与该第二相对位置 分别为该第一辐射元件与该第二辐射元件位于该 基板之第二面之相对位置,其特征在于: 该薄型化天线包括一阻抗调整元件位在该基板之 第二面,而且该阻抗调整元件系位在可连接该第一 辐射元件之第一相对位置与该第二辐射元件之第 二相对位置之处。 2.如申请专利范围第1项所述之薄型化天线,其中该 第一辐射元件系略呈长条型,且该第二辐射元件系 略呈梯形。 3.如申请专利范围第1项所述之薄型化天线,其中该 第一辐射元件系包括一长形部与一梯形部,且该梯 形部之底边与该长形部之至少一部分系实质相连 在一起。 4.如申请专利范围第1项所述之薄型化天线,更进一 步包含一反射板,且该基板系固定在该反射板之上 ,其中该第二辐射元件系略呈梯形。 5.如申请专利范围第4项所述之薄型化天线,更进一 步包含一连接部,该连接部系可使该基板固定在该 反射板之上,其中该连接部与该第二辐射元件系彼 此相分离且未相连。 6.如申请专利范围第5项所述之薄型化天线,其中该 第二辐射元件包括一缺口,且该连接部系位在该缺 口之至少一部分。 7.一种薄型化天线,其包括: 一第一辐射元件; 一第二辐射元件;以及 一基板,该第一辐射元件与该第二辐射元件皆系位 在该基板上,其特征在于: 该薄型化天线包括一辐射调整元件,该第二辐射元 件实质略呈梯形并包括一底边,且该辐射调整元件 包括一侧边,其中该辐射调整元件之侧边实质系大 于或等于该第二辐射元件之底边,且该辐射调整元 件之侧边至少一部分实质相连于该第二辐射元件 之底边。 8.如申请专利范围第7项所述之薄型化天线,更进一 步包含一反射板,且该基板固定在该反射板之上。 9.如申请专利范围第8项所述之薄型化天线,更进一 步包含一连接部,该连接部系可使该基板固定在该 反射板之上,其中该连接部与该辐射调整元件系彼 此相分离且未相连。 10.如申请专利范围第7项所述之薄型化天线,其中 该第一辐射元件系包括一长形部与一梯形部,且该 梯形部之底边与该长形部之至少一部分系实质相 连在一起。 11.如申请专利范围第7项所述之薄型化天线,其中 该辐射调整元件实质略呈长条型。 12.如申请专利范围第7项所述之薄型化天线,其中 该辐射调整元件实质略呈梯形。 13.如申请专利范围第7项所述之薄型化天线,其中 该辐射调整元件实质略呈三角形。 图式简单说明: 图1A与1B分别系以不同视角显示本创作之薄型化天 线之立体示意图。 图1C为依据图1A与图1B之实施例,显示其E-plane辐射 场形。 图1D为依据图1A与图1B之实施例,显示其电压驻波比 (VSWR)。 图2、3、4、5A、6A、7、8与9A,为依据本创作之各不 同实施例,分别显示其正面示意图。 图5B为依据图5A之实施例,显示其电压驻波比(VSWR) 。 图5C为依据图5A之实施例,显示其E-plane辐射场形。 图6B为依据图6A之实施例,显示其电压驻波比(VSWR) 。 图6C为依据图6A之实施例,显示其E-plane辐射场形。 图9B为依据图9A之实施例,显示其电压驻波比(VSWR) 。 图9C为依据图9A之实施例,显示其E-plane辐射场形。 |
