| 主权项 |
1.一种可变输出位准之电流侦测器,包括: 一运算放大器,上述运算放大器具有一正相输入端 、一反相输入端及一输出端,上述运算放大器并耦 接至一天线供应电压及一地线; 一电流侦测点调整电路,具有一电流侦测点,上述 电流侦测点耦接至上述运算放大器之反相输入端; 一电流负载电路,上述电流负载电路具有之一端耦 接至上述天线供应电压,上述电流负载电路具有之 另一端耦接至上述运算放大器之正相输入端,且上 述电流负载电路具有之另一端系为一负载接点;以 及 一钳位电路,耦接至上述运算放大器之输出端,且 上述钳位电路可将输出电压控制在一电压范围内, 当上述负载接点为浮接时,上述钳位电路之输出系 为高逻辑位准。 2.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,更包括一待测电路,上述待测电路之一 端耦接上述负载接点,且上述待测电路之另一端耦 接至上述地线,且当上述待测电路耦接至上述负载 接点时,上述钳位电路之输出系为低逻辑位准。 3.如申请专利范围第2项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述待测电路系为一主动式天线。 4.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述电流负载电路包括一第一电阻 ,上述第一电阻具有之一端耦接至上述天线供应电 压,上述第一电阻具有之另一端耦接至上述运算放 大器之正相输入端,且上述第一电阻具有之另一端 系为上述负载接点。 5.如申请专利范围第4项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述电流侦测点调整电路系由一第 二电阻及一第三电阻串联而成,上述第二电阻之一 端耦接至上述天线供应电压,上述第二电阻之另一 端耦接至上述第三电阻之一端,上述第三电阻之另 一端耦接至上述地线,且上述第二、第三电阻间之 接点为上述电流侦测点。 6.如申请专利范围第5所述之可变输出位准之电流 侦测器,其中上述第一电阻、第二电阻及第三电阻 之电阻値大小关系为:第三电阻値大于第二电阻値 ,第二电阻値大于第一电阻値。 7.如申请专利范围第6所述之可变输出位准之电流 侦测器,其中上述第一电阻値为0.1欧姆。 8.如申请专利范围第6所述之可变输出位准之电流 侦测器,其中上述第二电阻値为27欧姆。 9.如申请专利范围第6述之可变输出位准之电流侦 测器,其中上述第三电阻値为47k欧姆。 10.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述高逻辑位准系介于3.3至2.0伏特 之间。 11.如申请专利范围第2项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述低逻辑位准系介于0至1.0伏特 之间。 12.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述钳位电路更包括一第四电阻、 一第五电阻及一NPN型双载子接面电晶体,其中上述 第四电阻具有之一端系耦接至上述运算放大器之 输出端,且上述第四电阻具有之另一端耦接至上述 NPN型双载子接面电晶体之基极,上述第五电阻具有 之一端耦接至上述NPN型双载子接面电晶体之射极, 上述第五电阻具有之另一端耦接至上述地线,上述 NPN型双载子接面电晶体之集极耦接至一逻辑电路 供应电压,且上述NPN型双载子接面电晶体之射极为 上述钳位电路之输出端。 13.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述钳位电路更包括一第四电阻、 一第五电阻及一PNP型双载子接面电晶体,其中上述 第四电阻具有之一端系耦接至上述运算放大器之 输出端,且上述第四电阻具有之另一端耦接至上述 PNP型双载子接面电晶体之基极,上述第五电阻具有 之一端耦接至上述PNP型双载子接面电晶体之射极, 上述第五电阻具有之另一端耦接至一逻辑电路供 应电压,且上述PNP型双载子接面电晶体之射极为上 述钳位电路之输出端。 14.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,更包括一第四电阻、一第五电阻及一N 型加强型金氧半场效电晶体,其中上述第四电阻具 有之一端系耦接至上述运算放大器之输出端,且上 述第四电阻具有之另一端耦接至上述N型加强型金 氧半场效电晶体之基极,上述第五电阻具有之一端 耦接至上述N型加强型金氧半场效电晶体之汲极, 上述第五电阻具有之另一端耦接至上述地线,上述 N型加强型金氧半场效电晶体之源极耦接至一逻辑 电路供应电压,且上述N型加强型金氧半场效电晶 体之汲极为上述钳位电路之输出端。 15.如申请专利范围第12项所述之可变输出位准之 电流侦测器,其中上述逻辑电路供应电压低于上述 天线供应电压。 16.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,更包括一第四电阻及一第五电阻及一NPN 型双载子接面电晶体,其中上述第四电阻具有之一 端系耦接至上述运算放大器之输出端,且上述第四 电阻具有之另一端耦接至上述NPN型双载子接面电 晶体之基极,上述第五电阻具有之一端耦接至上述 NPN型双载子接面电晶体之集极,上述第五电阻具有 之另一端耦接至一逻辑电路供应电压,且上述NPN型 双载子接面电晶体之射极为上述钳位电路之输出 端。 17.如申请专利范围第1项所述之可变输出位准之电 流侦测器,其中上述钳位电路更包括一第四电阻及 一第五电阻及一PNP型双载子接面电晶体,其中上述 第四电阻具有之一端系耦接至上述运算放大器之 输出端,且上述第四电阻具有之另一端耦接至上述 PNP型双载子接面电晶体之基极,上述第五电阻具有 之一端耦接至上述PNP型双载子接面电晶体之集极, 上述第五电阻具有之另一端耦接至上述地线,上述 PNP型双载子接面电晶体之集极为上述钳位电路之 输出端,且上述PNP型双载子接面电晶体之射极耦接 到一逻辑电路供应电压,其中上述逻辑电路供应电 压低于上述天线供应电压。 18.如申请专利范围第16项所述之可变输出位准之 电流侦测器,其中上述逻辑电路供应电压低于上述 天线供应电压。 图式简单说明: 第1图显示卫星接收器与主动式天线之架构图。 第2图为传统主动式天线电流侦测电路。 第3图显示依据本发明之实施例之电流侦测电路。 第4a、4b、4c、4d、4e图显示依据本发明之一实施例 之电流侦测电路。 |
