| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,包括: 于一半导体基底上定义一电极; 于该电极之至少一侧壁上形成一间隙壁; 于该半导体基底上进行一制程操作,该制程操作使 用该间隙壁做为光罩及于该半导体基底与该电极 之顶部或表面产生一物质层;及 移除该间隙壁,其中移除该间隙壁之步骤包括: 使用一含有磷酸之酸性溶液做为蚀刻液于100℃至 150℃之一第一温度下对该间隙壁进行一湿式蚀刻 制程。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该间隙壁 包括矽氮化物。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该物质层 包括镍矽化物。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一温 度为140℃。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含有磷 酸之酸性溶液系于进行该湿式蚀刻制程之前先于 一第二温度下经过矽化物时效处理(seasoning),而达 饱和点。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二温 度在100℃与180℃之间。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,于该时效处理 后,进一步包括使该含有磷酸之酸性溶液于一第三 温度下静置之步骤。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第三温 度为第一温度。 9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该矽化物 时效处理,系以矽化物层浸泡于该含有磷酸之酸性 溶液而进行。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该矽化 物层包括矽氮化物。 11.一种移除间隙壁之方法,包括: 提供一基底,其中,该基底具有一电极,该电极之至 少一侧壁上具有一间隙壁,及该基底与该电极之顶 部或表面具有一物质层;以及 使用一含有磷酸之酸性溶液做为蚀刻液于100℃至 150℃之一第一温度下对该间隙壁进行一湿式蚀刻 制程。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该间隙 壁包括矽氮化物。 13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该物质 层包括镍矽化物。 14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中第一温 度为140℃。 15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该含有 磷酸之酸性溶液系于进行该湿式蚀刻制程之前先 于一第二温度下经过矽化物时效处理(seasoning),而 达饱和点。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第二 温度在100℃与180℃之间。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,于该时效处 理后,进一步包括使该含有磷酸之酸性溶液于一第 三温度下静置之步骤。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第三 温度为100℃至150℃。 19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该矽化 物时效处理,系以矽化物层浸泡于该含有磷酸之酸 性溶液而进行。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该矽化 物层包括矽氮化物。 图式简单说明: 第1图绘示的是习知之半导体MOS电晶体元件的截面 示意图。 第2图显示习知之去除氮化矽间隙壁之步骤。 第3图至第6图绘示的是本发明较佳实施例制作半 导体MOS元件的方法剖面示意图。 第7图显示依据本发明之一实施例之蚀刻液预处理 流程。 第8图显示依据本发明之另一实施例之蚀刻液预处 理流程。 第9图显示依据本发明移除间隙壁后进一步的半导 体制程。 |
