| 主权项 |
1.一种发光二极体装置,其特征在于,包括: 发光二极体晶片,其安装在基板上; 萤光体层,其覆盖发光二极体晶片,并且添加有萤 光体;以及 反射层,其形成于基板上,并且具有以下反射特性: 在发光二极体晶片的发光波长范围内,其光反射率 低于镍的光反射率,并且在萤光体层中萤光发光波 长范围内,其光反射率高于镍的光反射率。 2.如申请专利范围第1项所述的发光二极体装置,其 特征在于:上述反射层包含金。 3.如申请专利范围第1或2项所述的发光二极体装置 ,其特征在于:上述反射层具有投光开口,投射来自 上述萤光体层的光,并且形成于收纳发光二极体晶 片的凹部内。 4.一种发光二极体装置,其特征在于,包括: 发光二极体晶片,其安装在基板上,主要发出蓝色 光; 萤光体层,其受到来自发光二极体晶片的蓝色光激 发而发出黄色系光,并且射出由这些蓝色光与黄色 系光混色而成的白色光;以及 反射层,其具有以下特性:波长为540 nm的反射率是 波长为460 nm的反射率的1.3倍-2.5倍,波长为540 nm的 反射率为70%以上,并且至少反射蓝色光和黄色系光 。 5.如申请专利范围第4项所述的发光二极体装置,其 特征在于:上述反射层通过镀金而形成。 6.如申请专利范围第5项所述的发光二极体装置,其 特征在于:上述镀金层的厚度为0.2-0.4 m。 7.如申请专利范围第4至6项中任一项所述的发光二 极体装置,其特征在于:上述反射层形成于上述基 板上。 图式简单说明: 图1是本发明第1实施例的发光二极体照明装置的 平面图。 图2是图1的II-II剖面图。 图3是图2的III部分放大图。 图4是本发明其它实施例的主要部分放大纵剖面图 。 图5是对底面、侧面镀金层与单是习知的镀镍层, 比较二者可视光反射率的反射特性示意图。 图6是本发明第2实施例的发光二极体照明装置中, 发光二极体装置的主要部分纵剖面图。 图7是在使用镀金、镀银以及镀镍作为图6所示发 光二极体装置的反射层时,白色光的相关色温与发 光效率的相关关系图。 图8是图6所示镀金层的厚度以及白色光在所需波 长的全反射率的相关关系一览表。 图9是图8所示镀金层的厚度以及白色光在所需波 长的全反射率的相关关系图。 |
