| 主权项 |
1.一种用以监视在一抛光处理中一晶圆表面抛光 状态之方法,该方法包括以下步骤: - 提供一欲抛光晶圆,该晶圆于一欲抛光之透明或 半透明层下具有至少一光学可辨特征; - 选择一或多个该等特征用于监视; - 于一或多个该等所选特征范围内测量一光学对 比剖面; - 根据该所测量对比剖面决定该晶圆表面抛光状 态;以及 - 重复测量该光学对比剖面以及决定该抛光状态 之步骤,直到达到一预定抛光状态为止。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中决定该抛光状 态之该步骤包括: - 决定该对比剖面之强度与锐利度;以及 - 将该所决定之强度及锐利度与预定値进行比较, 来决定是否达到了该预定抛光状态。 3.一种用以藉由化学机械抛光器具来抛光晶圆之 方法,该方法包括以下步骤: - 设定一化学机械抛光器具之抛光参数; - 抛光至少一晶圆并监视该晶圆表面抛光状态,其 方式为:将该晶圆提供给该抛光器具,该晶圆于一 欲抛光之透明或半透明层下具有至少一光学可辨 特征,选择一或多个该等特征用于监视,于一或多 个该等所选特征范围内测量一光学对比剖面,根据 该所测量对比剖面决定该晶圆之该表面抛光状态; 重复测量该光学对比剖面以及决定该抛光状态之 步骤,直到达到一预定抛光状态为止,以及 - 根据监视该抛光状态之结果调整该化学机械抛 光器具之抛光参数来提高处理产量并改善处理均 匀性。 4.一种用以监视一晶圆表面抛光状态之装置,该晶 圆于一欲抛光之透明或半透明层下具有至少一光 学可辨特征,该装置包括: - 用以提供一欲抛光晶圆之构件; - 用以选择一或多个该等特征用于监视之构件; - 用以于一或多个该等所选特征范围内测量一光 学对比剖面之构件; - 用以根据该所测量对比剖面决定该表面抛光状 态之构件;以及 - 用以决定是否达到一预定抛光状态之构件。 5.如申请专利范围第4项之装置,其中用以决定该抛 光状态之该构件包括: - 决定构件,其用以决定该对比剖面之强度与锐利 度;以及 - 比较构件,其用以将该所决定之强度及锐利度与 预定値进行比较,来决定是否达到了该预定抛光状 态。 图式简单说明: 图1系根据本发明一项具体实施例之一化学机械抛 光装置之部分示意图; 图2系说明根据本发明一方法的一项具体实施例之 处理流程图; 图3(a)显示开始CMP处理前一欲抛光晶圆之照射视野 区示意图; 图3(b)显示一由该光学感应器所输出、横跨图3(a) 视野区之光学对比剖面; 图4(a)与(b)显示如图3(a)与(b)中CMP处理已改进之情 形; 图5(a)与(b)显示如图3(a)与(b)在CMP处理所需终点之 说明; 图6(a)与(b)显示如图3(a)与(b)中CMP处理错失终点及 晶圆损坏之情形。 |
