| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括: 一半导体层,该半导体层包括一源极、一汲极以及 一通道区域; 一在该半导体层上的闸极绝缘膜; 一在该闸极绝缘膜上的源极布线; 一在该闸极绝缘膜上,并藉由该闸极绝缘膜与通道 区域重叠的闸电极; 一在该源极布线和闸电极上的绝缘膜; 以及一在该绝缘膜上的连接布线和一电极,其中: 连接布线设置在开口部分中,该开口部分设置在绝 缘膜和闸极绝缘膜中,该连接布线还在源极布线和 源极之间建立电连接;而且 在同一膜淀积表面上由同一材料形成连接布线和 电极。 2.一种半导体装置,包括: 一半导体层,该半导体层包括一源极、一汲极以及 一通道区域; 一在该半导体层上的闸极绝缘膜; 一在该闸极绝缘膜上的源极布线; 一设置在该闸极绝缘膜上,并藉由该闸极绝缘膜与 通道区域重叠的闸电极; 一在源极布线和闸电极上的绝缘膜; 以及在该绝缘膜上的一连接布线和一电极,其中: 连接布线设置在一开口部分中,该开口部分设置在 该绝缘膜和闸极绝缘膜中,该连接布线还在源极布 线和源极之间建立电连接; 该电极与该汲极电连接;而且 在同一膜淀积表面上由同一材料形成连接布线和 电极。 3.一半导体装置,包括: 一第一薄膜电晶体和一第二薄膜电晶体,每一第一 和第二薄膜电晶体都包括: 设有一源极、一汲极以及一通道区域的半导体层; 一岛状闸电极,在一闸极绝缘膜上,且在该半导体 层上; 一在该闸极绝缘膜上,并设置在对应的第一和第二 薄膜电晶体的岛状闸电极之间的源极布线; 一在对应的第一和第二薄膜电晶体的岛状闸电极 和源极布线上的绝缘膜; 在该绝缘膜上的一连接布线和一电极, 其中,该连接布线藉由一接触孔形成,该接触孔设 置在该绝缘膜内,连接布线将该第一TFT的岛状闸电 极与该第二TFT的岛状闸电极电连接。 4.一种半导体装置,包括: 一包括一源极、一汲极和一通道区域的半导体层; 一藉由在该半导体层上的闸极绝缘膜与一闸极布 线电连接的闸电极; 在该闸极绝缘膜上,而且不藉由该闸极布线彼此接 触形成的一第一岛状导电膜和一第二岛状导电膜; 一在该闸极布线、第一岛状导电膜和第二岛状导 电膜上形成的绝缘膜; 在该绝缘膜上的一连接布线和一电极, 其中,该连接布线藉由一接触孔形成,该接触孔设 置在该绝缘膜内,连接布线将该第一岛状导电膜与 该第二岛状导电膜形成电连接。 5.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中所 形成的该连接布线和该电极与半导体层接触。 6.如申请专利范围第2项所述的半导体装置,其中所 形成的该连接布线和该电极与半导体层接触。 7.如申请专利范围第3项所述的半导体装置,其中所 形成的该连接布线和该电极与半导体层接触。 8.如申请专利范围第4项所述的半导体装置,其中所 形成的该连接布线和该电极与半导体层接触。 9.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中该 连接布线和该电极由透明导电膜形成。 10.如申请专利范围第2项所述的半导体装置,其中 该连接布线和该电极由透明导电膜形成。 11.如申请专利范围第3项所述的半导体装置,其中 该连接布线和该电极由透明导电膜形成。 12.如申请专利范围第4项所述的半导体装置,其中 该连接布线和该电极由透明导电膜形成。 13.一半导体装置,包括: 第一半导体层和第二半导体层,每一层都设有一源 极、一汲极以及一通道区域; 一在该第一和第二半导体层上的闸极绝缘膜; 在该闸极绝缘膜上的源极布线和电流源线; 在该闸极绝缘膜上,并分别藉由该闸极绝缘膜与第 一和第二半导体层的通道区域重叠的第一和第二 闸电极; 一在该源极布线、该电流源线、该第一闸电极和 第二闸电极上的绝缘膜; 在该绝缘膜上的多条连接布线和一第一电极; 在第一电极上的一有机化合物层; 在该有机化合物层上形成的一第二电极,其中: 多条连接布线设置在开口部分中,开口部分设置在 绝缘膜和闸极绝缘膜中,这些连接布线在源极布线 和第一半导体层的源极之间、在第一半导体层的 汲极和第二闸电极之间、以及电流源线和第二半 导体层的源极之间建立电连接; 该第一电极与第二半导体层的汲极电连接;而且 在同一膜淀积表面上由同一材料形成连接布线和 第一电极。 14.一种半导体装置,包括: 包括一源极、一汲极以及一通道区域的半导体层; 一在该半导体层上形成的闸极绝缘膜; 在该闸极绝缘膜上,并藉由该闸极绝缘膜与通道区 域重叠的闸电极; 一在该闸电极上的绝缘膜; 在该绝缘膜上的一第一电极; 在该第一电极上形成的一有机化合物层; 在该有机化合物层上形成的一第二电极,其中: 所形成的该第一电极与该半导体层接触。 15.如申请专利范围第13项所述的半导体装置,其中 所形成的该连接布线和该第一电极与半导体层接 触。 16.如申请专利范围第14项所述的半导体装置,其中 所形成的该连接布线和该第一电极与半导体层接 触。 17.如申请专利范围第13项所述的半导体装置,其中 所形成的该连接布线和该第一电极由透明导电膜 形成。 18.如申请专利范围第14项所述的半导体装置,其中 所形成的该连接布线和该第一电极由透明导电膜 形成。 19.一种制作一半导体装置的方法,包括: 在一绝缘表面上形成一半导体层; 在该半导体层上形成一闸极绝缘膜; 在该闸极绝缘膜上形成一源极布线; 在该闸极绝缘膜上形成一闸电极,该闸电极藉由该 闸极绝缘膜与部分半导体层重叠; 藉由利用该闸电极作为一掩模,向半导体层中掺杂 杂质而形成一源极和一汲极; 形成一覆盖该闸电极和源极布线的绝缘膜; 在绝缘膜上形成一连接布线和一电极,该连接布线 和电极由同一种材料制成并设置在同一膜淀积表 面上; 以及藉由该连接布线将该源极布线与该源极电连 接。 20.一种制作一半导体装置的方法,包括: 在一绝缘表面上形成一半导体层; 在该半导体层上形成一闸极绝缘膜; 在该闸极绝缘膜上形成一源极布线; 在该闸极绝缘膜上形成一闸电极,该闸电极藉由该 闸极绝缘膜与部分半导体层重叠; 藉由利用该闸电极作为一掩模,向半导体层中掺杂 杂质而形成一源极和一汲极; 形成一覆盖该闸电极和源极布线的绝缘膜; 在绝缘膜上形成一连接布线和一电极,该连接布线 和电极由同一种材料制成并设置在同一膜淀积表 面上; 藉由该连接布线将该源极布线与该源极电连接; 以及将该电极与该汲极电连接。 21.一种如申请专利范围第19项所述的制作一半导 体装置的方法,其中采用湿法蚀刻方法构图该连接 布线和该电极。 22.一种如申请专利范围第20项所述的制作一半导 体装置的方法,其中采用湿法蚀刻方法构图该连接 布线和该电极。 23.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半 导体装置系为液晶显示装置。 24.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该半 导体装置系为液晶显示装置。 25.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该半 导体装置系为液晶显示装置。 26.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该半 导体装置系为液晶显示装置。 27.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半 导体装置系为有机电致发光显示装置。 28.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该半 导体装置系为有机电致发光显示装置。 29.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该半 导体装置系为有机电致发光显示装置。 30.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该半 导体装置系为有机电致发光显示装置。 31.如申请专利范围第13项之半导体装置,其中该半 导体装置系为液晶显示装置。 32.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中该半 导体装置系为液晶显示装置。 33.如申请专利范围第19项之制造一半导体装置的 方法,其中该半导体装置系为液晶显示装置。 34.如申请专利范围第20项之制造一半导体装置的 方法,其中该半导体装置系为液晶显示装置。 35.如申请专利范围第13项之半导体装置,其中该半 导体装置系为有机电致发光显示装置。 36.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中该半 导体装置系为有机电致发光显示装置。 37.如申请专利范围第19项之制造一半导体装置的 方法,其中该半导体装置系为有机电致发光显示装 置。 38.如申请专利范围第20项之制造一半导体装置的 方法,其中该半导体装置系为有机电致发光显示装 置。 图式简单说明: 图1A至1C是用于解释根据本发明所述的布线之间的 连接关系的示意图; 图2A至2C是用于解释根据本发明所述的布线之间的 连接关系的示意图; 图3是用于解释根据本发明制作的一种元件基底的 示意图; 图4A至4C是用于解释该元件基底的制作步骤的剖视 图; 图5是用于解释该元件基底的制作步骤的俯视图; 图6是用于解释该元件基底的制作步骤的俯视图; 图7是用于解释该元件基底的制作步骤的俯视图; 图8是用于解释根据本发明制作的一种元件基底的 示意图; 图9A至9D是用于解释该元件基底的制作步骤的剖视 图; 图10是用于解释该元件基底的制作步骤的俯视图; 图11是用于解释该元件基底的制作步骤的俯视图; 图12是用于解释该元件基底的制作步骤的俯视图; 图13是用于解释根据本发明制作的一种元件基底 的示意图; 图14是用于解释根据本发明制作的一种元件基底 的示意图; 图15是用于解释根据本发明制作的一种液晶显示 装置的示意图; 图16A和16B是用于解释根据本发明制作的一种发光 装置的示意图; 图17A至17H是表示电子设备的几种实例的图。 |
