| 主权项 |
1.一种用于有机涂层之厚度测量方法,此方法包括 下列步骤: 测量形成在第一金属表面上至少一个参考有机涂 层的吸收光谱; 由该有机涂层的该吸收光谱计算预定波长范围的 吸收强度; 藉破坏量测来测量该参考有机涂层的厚度; 基于吸收强度及该参考有机涂层之测量厚度来界 定吸收强度及涂层厚度的相关性; 测量形成在第二金属表面上之欲测量有机涂层的 吸收光谱; 从该欲测量有机涂层的该吸收光谱计算在该预定 波长范围的吸收强度;以及 根据吸收强度及涂层厚度间的相关性,从其吸收强 度来计算该欲测量有机涂层的厚度。 2.如申请专利范围第1项之厚度测量方法,其中该参 考有机涂层及该欲测量有机涂层是形成于金属上, 在相目的蚀刻条件下形成表面粗糙度。 3.如申请专利范围第1项之厚度测量方法,其中该参 考有机涂层是有机可焊接保护层(organic solderabilty preservative film),且 其中该欲测量有机涂层是形成在印刷电路板之铜 图样上的有机可焊接保护层。 4.如申请专利范围第1项之厚度测量方法,其中该参 考有机涂层包括复数个参考有机涂层,它们包含了 被涂布在一个表面区域(unit surface area)之不同量的 有机材料。 5.如申请专利范围第1项之厚度测量方法,其中该吸 收光谱是以红外线光谱来测量。 6.如申请专利范围第1项之厚度测量方法,其中该预 定波长范围对应于该参考有机涂层的主要成分的 吸收峰値范围。 7.如申请专利范围第1项之厚度测量方法,其中藉由 破坏量测来测量该参考有机涂层厚度的该步骤复 包括: 溶解在该第一金属表面上的该参考有机涂层于溶 液中; 分析该溶液中该有机材料的浓度;及 根据分析的浓度,计算该参考有机涂层的厚度。 8.如申请专利范围第7项之厚度测量方法,其中分析 在该溶液中该有机材料浓度的该步骤系藉由红外 线光谱来进行。 9.如申请专利范围第1项之厚度测量方法,复包括: 在高度抛光晶圆上形成均匀厚度的标准材料涂层; 测量该标准材料涂层的吸收光谱; 从该标准材料涂层的该吸收光谱,计算在预定波长 范围的吸收强度; 计算该标准材料涂层的吸收强度及该有机涂层的 吸收强度间的比例; 其中,界定吸收强度及涂层厚度间之相关性的该步 骤界定该吸收强度比例及该涂层厚度间的相关性, 以及 其中,从其吸收强度计算欲测量有机涂层厚度的该 步骤系根据该标准材料涂层之吸收强度及欲测量 有机涂层之吸收强度间的比例来计算该有机涂层 的厚度。 10.如申请专利范围第9项之厚度测量方法,其中该 晶圆是矽晶圆,而该标准材料则是(perylene)。 11.如申请专利范围第10项的厚度测量方法,其中该 吸收强度及涂层厚度之相关性,系以下列方程式界 定: 涂层厚度(微米)={(有机可焊接保护层之吸收强度)/ (之吸收强度)+0.0085}/0.1542, 其中,该有机可焊接保护涂层的厚度未知。 12.如申请专利范围第9项之厚度测量方法,其中测 量该标准材料涂层的吸收光谱系以红外线光谱来 进行。 图式简单说明: 第1a图为剖面图,所示是一般晶片级封装; 第1b图为剖面图,所示的是如第1a图所示的晶片级 封装的基板的垫表面; 第2图为流程图,所示的是用于OSP涂层的传统厚度 测量方法; 第3a图及第3b图为流程图,所示的是用于本发明的 有机涂层的厚度测量方法; 第4图为流程图,所示的是根据本发明之较佳实施 例的有机涂层的厚度测量方法; 第5图为示意图,所示的是可用在本发明的IR光谱系 统; 第6a图是本发明的参考有机涂层的IR吸收光谱; 第6b图所绘的是本发明之参考有机涂层的IR吸收强 度及厚度间的相关性; 第7a图所示的是本发明的标准材料涂层(例如,) 的IR吸收光谱; 第7b图所示的是本发明的参考有机涂层与标准材 料涂层之IR吸收强度比例及参考有机涂层厚度之 间的相关性;以及 第8图是在本发明的OSP涂层的FIB分析评估。 |
