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1.一种用以进行制备HCN之升温气相催化化学反应 之装置,包括: 一由实质不透气之非导电材料所构成之中空圆筒 所界定之反应室, 一具有实质环状横截面之中空圆筒形导电与透气 之催化剂/基座,该催化剂/基座系共轴地放置在上 述反应室内部,且围绕在一非导电圆筒四周, 该催化剂/基座系为感应线圈所围绕,该感应线圈 系藉由可提供交流电之电源供给能量, 该催化剂/基座可藉由该感应线圈产生交流电磁场 而感应加热达到足以产生化学反应之温度。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该非导电圆筒 系实质不透气,藉此使气体轴向流经该催化剂/基 座。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中该非导电圆筒 系实质不透气,藉此使气体径向流经该催化剂/基 座。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中该感应线圈遍 及全长具有均匀之间隔。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该感应线圈之 能量储存强度随圆筒形催化剂/基座的长度而改变 。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中该感应线圈系 由两段或更多段所构成,上述每一段载有与另一段 或其余多段之每一段不同强度的电流。 7.如申请专利范围第5项之装置,其中该感应线圈系 由两段或更多段所构成,上述任一段中的线圈间隔 与另一段或其余多段之每一段的线圈间隔不同。 8.如申请专利范围第1项之装置,其中该催化剂/基 座系由多重连续纱网绕带所构成。 9.如申请专利范围第1项之装置,其中该催化剂/基 座系由催化金属发泡物所构成。 10.如申请专利范围第1项之装置,其中该催化剂/基 座系由复数个彼此堆叠的环状纱网环所构成。 11.如申请专利范围第1项之装置,其中该催化剂/基 座系由具有相异之整体导电度的同心环状层所构 成。 12.如申请专利范围第1项之装置,其中该催化剂/基 座系由一种或多种铂族金属所构成。 13.如申请专利范围第1项之装置,其中该催化剂/基 座具有上述感应线圈内径之0.1至0.9倍的外径。 14.一种制备HCN之方法,其包括使氨与具有1至6个碳 原子之气体烃类通过一包含实质圆筒形导电与透 气之催化铂族金属催化剂/基座之催化剂结构,该 催化剂/基座系共轴地放置在一由实质不透气之非 导电材料所构成之中空圆筒所界定之反应室内,该 催化剂/基座为中空且围绕在一非导电圆筒四周, 该催化剂/基座在垂直于其圆周轴线的平面上具有 围绕其圆周之连续导电通路,藉由感应加热线圈以 50 Hz至30 MHz之间的频率加热到足以使该反应物产 生反应的温度,该催化剂/基座具有足以达到促进 催化活性之充分感应加热效率的整体电阻。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中系使该氨与 该烃类轴向流经该催化剂/基座。 16.如申请专利范围第14项之方法,其中系使该氨与 该烃类径向流经该催化剂/基座。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中该感应线圈 遍及全长具有均匀之间隔。 18.如申请专利范围第14项之方法,其中该感应线圈 之能量储存强度随圆筒形催化剂/基座的长度而改 变。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该感应线圈 系由两段或更多段所构成,上述每一段载有与另一 段或其余多段之每一段不同强度的电流。 20.如申请专利范围第18项之方法,其中该感应线圈 系由两段或更多段所构成,上述任一段中的线圈间 隔与另一段或其余多段之每一段的线圈间隔不同 。 21.如申请专利范围第14项之方法,其中该催化剂/基 座系由多个连续纱网绕带所构成。 22.如申请专利范围第14项之方法,其中该催化剂/基 座系由催化金属发泡物所构成。 23.如申请专利范围第14项之方法,其中该催化剂/基 座系由复数个彼此堆叠的环状纱网环所构成。 24.如申请专利范围第14项之方法,其中该催化剂/基 座系由具有相异之整体导电度的同心环状层所构 成。 25.如申请专利范围第14项之方法,其中该催化剂/基 座系由一种或多种铂族金属所构成。 26.如申请专利范围第14项之方法,其中该催化剂/基 座具有上述感应线圈内径之0.1至0.9倍的外径。 27.如申请专利范围第14项之方法,其中该烃类包括 甲烷。 图式简单说明: 图1说明构成本发明之具体感应加热技术的基础原 理,同时藉由图2至图8说明本发明之各种特定具体 实施例。 图2表示轴流反应器,其中该催化剂/基座系由丝状 结构层所构成。 图3表示径流反应器,其中该催化剂/基座系由丝状 结构层所构成。 图4表示径流反应器,其中该催化剂/基座系由一堆 叠之透气环所构成。 图5表示轴流反应器,其中该透气环系自我支撑者 。 图6表示轴流反应器,其中该催化剂/基座系由金属 发泡物所构成。 图7表示径流配置,其中该催化剂/基座系由各自具 有相异导电度的两个环状区域所构成。 图8A表示轴流配置,其中该感应线圈系由两段所构 成,每一段具有不同的线圈间隔。 图8B表示轴流配置,其中该感应线圈系由两个独立 的线圈所构成,每个线圈载有不同强度的电流。 |
