| 主权项 |
1.一种感放射线性介电率变化性组成物,其特征为 含有(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物、(C)感 放射线分解剂及视情况含有(D)安定化剂,其中各成 分之含量:(A)成分系对于(A)成分与(B)成分之合计100 重量份时,含有10~95重量份, (B)成分系对于(A)成分与(B)成分之合计100重量份时, 含有5~90重量份,(C)成分系对于(A)成分与(B)成分之 合计100重量份时,含有0.01 ~30重量份,含有(D)成分时 ,(D)成分系对于(A)成分100重量份时,含有10重量份以 上, 其中该(A)分解性化合物系至少一种具有以下述式( 1)~(6)或(10)表示之结构中之至少一种结构的化合物 , (式(1)中R1为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基或伸芳 基,R2为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基、 烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(2)中M为Si或Ge,R3为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷 基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R4为 氧原子、伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基 或单键,R5、R6、R7及R8系各自独立之氢原子、烷基 、芳基、烷氧基或硫代烷基,m为0至2之整数) (式(3)中R9及R10系各自独立的伸烷基、伸烷基伸芳 基伸烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷 基) (式(4)中R11系羟基伸烷基或单键,R12为氢原子、烷 基、伸烷基伸芳基伸烷基或芳基) (式(5)中R13系氢原子、烷基或芳基) (式(6)中R14系以伸烷基或下述式(7)、(8)或(9)表示的 结构) (式(7)中R15、R16、R17及R18系相互独立的氢原子、碳 数1~6之链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、羟 基、巯基、羧基、碳数1~6之烷氧基、碳数1~6之烷 硫基、碳数1~6之卤化烷基、碳数1~6之卤化烷氧基 、碳数1~6之卤化烷基硫基、碳数1~6之羟烷基、碳 数1~6之巯基烷基、碳数1~6之羟基烷氧基、碳数1~6 之巯基烷基硫基、碳数6~10之芳基或碳数7~11之芳 烷基) -O-R19-O-………(8) (式(8)中R19系伸烷基) -NH-R20-NH-………(9) (式(9)中R20系伸烷基) (式(10)中R21系伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、或 伸芳基); 或该(A)分解性化合物系至少一种选自由(i)~(v)所成 群的化合物, (i)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 苯酚树脂, (ii)至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 酚醛树脂, (iii)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 苯酚树脂, (iv)至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 酚醛树脂, (v)至少一个羧基被酸分解性保护基保护之含羧基 树脂;或 该(A)分解性化合物为至少含有一种具有以下述式( 11)~(13)或(14)表示之结构中之至少一种结构的化合 物, (式(11)中R22为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R23为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R24、R25、R26及R27 系各自独立之氢原子、烷基、芳基、烷氧基或烷 硫基,i及j系分别为0或1) (式(12)中R28为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R29为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(13)中R30及R31系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基) (式(14)中R32及R33系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基), 其中该(B)非分解性化合物系对于酸或硷安定的非 分解性化合物, 该(C)感放射线分解剂为三氯甲基-S-三类、二芳 香基碘盐类、三芳香基盐类、四级铵盐类、 磺酸酯类中之至少一种, 该(D)安定化剂至少一种选自由胺基化合物、环氧 化合物、硫化乙烯化合物、氮杂环丁烷化合物、 烷氧基甲基化三聚氰胺化合物、烷氧基甲基化甘 化合物、烷氧基甲基化苯并鸟粪胺化合物、烷 氧基甲基化化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯 化合物、唑化合物、化合物及矽烷化合 物所成群者。 2.如申请专利范围第1项之组成物,其中放射线照射 部之介电率为具有放射线未照射部之介电率之90% 以下之数値。 3.如申请专利范围第1或2项之组成物,其中(A)分解 性化合物为酸分解性化合物,(B)非分解性化合物为 酸非分解性化合物,(C)感放射线性分解剂为感放射 线性酸发生剂。 4.如申请专利范围第3项之组成物,其中(A)酸分解性 化合物为至少一种具有以下述式(1)~(6)或(10)表示 之结构中之至少一种结构的化合物, (式(1)中R1为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基或伸芳 基,R2为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基、 烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(2)中M为Si或Ge,R3为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷 基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R4为 氧原子、伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基 或单键,R5、R6、R7及R8系各自独立之氢原子、烷基 、芳基、烷氧基或硫代烷基,m为0至2之整数) (式(3)中R9及R10系各自独立的伸烷基、伸烷基伸芳 基伸烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷 基) (式(4)中R11系羟基伸烷基或单键,R12为氢原子、烷 基、伸烷基伸芳基伸烷基或芳基) (式(5)中R13系氢原子、烷基或芳基) (式(6)中R14系以伸烷基或下述式(7)、(8)或(9)表示的 结构) (式(7)中R15、R16、R17及R18系相互独立的氢原子、碳 数1~6之链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、羟 基、巯基、羧基、碳数1~6之烷氧基、碳数1~6之烷 硫基、碳数1~6之卤化烷基、碳数1~6之卤化烷氧基 、碳数1~6之卤化烷基硫基、碳数1~6之羟烷基、碳 数1~6之巯基烷基、碳数1~6之羟基烷氧基、碳数1~6 之巯基烷基硫基、碳数6~10之芳基或碳数7~11之芳 烷基) -O-R19-O-………(8) (式(8)中R19系伸烷基) -NH-R20-NH-………(9) (式(9)中R20系伸烷基) (式(10)中R21系伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、或 伸芳基)。 5.如申请专利范围第1或2项之组成物,其中(A)酸分 解性化合物为至少一种选自由(i)~(v)所成群的化合 物, (i)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 苯酚树脂, (ii)至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 酚醛树脂, (iii)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 苯酚树脂, (iv)至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 酚醛树脂, (v)至少一个羧基被酸分解性保护基保护之含羧基 树脂。 6.如申请专利范围第1~2项中任一项之组成物,其中( A)分解性化合物为硷分解性化合物,(B)非分解性化 合物为硷非分解性化合物,(C)感放射线性分解剂为 感放射线性硷发生剂。 7.如申请专利范围第6项之组成物,其中(A)分解性化 合物为至少含有一种具有以下述式(11)~(13)或(14)表 示之结构中之至少一种结构的化合物, (式(11)中R22为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R23为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R24、R25、R26及R27 系各自独立之氢原子、烷基、芳基、烷氧基或烷 硫基,i及j系分别为0或1) (式(12)中R28为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R29为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(13)中R30及R31系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基) (式(14)中R32及R33系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基)。 8.如申请专利范围第1或2项之组成物,其中(D)安定 化剂为至少一种选自由胺基化合物、环氧化合物 、硫化乙烯化合物、氮杂环丁烷化合物、烷氧基 甲基化三聚氰胺化合物、烷氧基甲基化甘化合 物、烷氧基甲基化苯并鸟粪胺化合物、烷氧基甲 基化化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯化合物 、唑化合物、化合物及矽烷化合物所成 群者。 9.如申请专利范围第1项之组成物,其系含有(D)安定 化剂,进一步含有使(A)分解性化合物与(D)安定化剂 反应之触媒。 10.一种形成介电率图案的方法,其特征为经由图案 光罩将放射线照射于含有一种感放射线性介电率 变化性组成物,其特征为含有(A)分解性化合物、(B) 非分解性化合物、(C)感放射线分解剂及(D)安定化 剂,其中各成分之含量:(A)成分系对于(A)成分与(B) 成分之合计100重量份时,含有10~95重量份,(B)成分系 对于(A)成分与(B)成分之合计100重量份时,含有5~90 重量份,(C)成分系对于(A)成分与(B)成分之合计100重 量份时,含有0.01~30重量份,含有(D)成分时,(D)成分系 对于(A)成分100重量份时,含有10重量份以上之感放 射线性介电率变化性组成物,接着加热使未曝光部 之安定化剂(D)与分解性化合物(A)反应,其中该(A)分 解性化合物系至少一种具有以下述式(1)~(6)或(10) 表示之结构中之至少一种结构的化合物, (式(1)中R1为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基或伸芳 基,R2为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基、 烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(2)中M为Si或Ge,R3为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷 基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R4为 氧原子、伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基 或单键,R5、R6、R7及R8系各自独立之氢原子、烷基 、芳基、烷氧基或硫代烷基,m为0至2之整数) (式(3)中R9及R10系各自独立的伸烷基、伸烷基伸芳 基伸烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷 基) (式(4)中R11系羟基伸烷基或单键,R12为氢原子、烷 基、伸烷基伸芳基伸烷基或芳基) (式(5)中R13系氢原子、烷基或芳基) (式(6)中R14系以伸烷基或下述式(7)、(8)或(9)表示的 结构) (式(7)中R15、R16、R17及R18系相互独立的氢原子、碳 数1~6之链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、羟 基、巯基、羧基、碳数1~6之烷氧基、碳数1~6之烷 硫基、碳数1~6之卤化烷基、碳数1~6之卤化烷氧基 、碳数1~6之卤化烷基硫基、碳数1~6之羟烷基、碳 数1~6之巯基烷基、碳数1~6之羟基烷氧基、碳数1~6 之巯基烷基硫基、碳数6~10之芳基或碳数7~11之芳 烷基) -O-R19-O-………(8) (式(8)中R19系伸烷基) -NH-R20-NH-………(9) (式(9)中R20系伸烷基) (式(10)中R21系伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、或 伸芳基); 或该(A)分解性化合物系至少一种选自由(i)~(v)所成 群的化合物, (i)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 苯酚树脂, (ii)至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 酚醛树脂, (iii)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 苯酚树脂, (iv)至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 酚醛树脂, (v)至少一个羧基被酸分解性保护基保护之含羧基 树脂;或 该(A)分解性化合物为至少含有一种具有以下述式( 11)~(13)或(14)表示之结构中之至少一种结构的化合 物, (式(11)中R22为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R23为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R24、R25、R26及R27 系各自独立之氢原子、烷基、芳基、烷氧基或烷 硫基,i及j系分别为0或1) (式(12)中R28为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R29为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(13)中R30及R31系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基) (式(14)中R32及R33系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基), 其中该(B)非分解性化合物系对于酸或硷为安定的 非分解性化合物, 该(C)感放射线分解剂为三氯甲基-S-三类、二芳 香基碘盐类、三芳香基盐类、四级铵盐类、 磺酸酯类中之至少一种, 该(D)安定化剂至少一种选自由胺基化合物、环氧 化合物、硫化乙烯化合物、氮杂环丁烷化合物、 烷氧基甲基化三聚氰胺化合物、烷氧基甲基化甘 化合物、烷氧基甲基化苯并鸟粪胺化合物、烷 氧基甲基化化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯 化合物、唑化合物、化合物及矽烷化合 物所成群者。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中介电率图案 为由具有10~99.9%之空隙之曝光部与实质上不具有 空隙之未曝光部所构成。 12.一种形成介电率图案的方法,其特征为经由图案 光罩将放射线照射于含有(A)分解性化合物、(B)非 分解性化合物及(C)感放射线分解剂,其中各成分之 含量:(A)成分系对于(A)成分与(B)成分之合计100重量 份时,含有10~95重量份,(B)成分系对于(A)成分与(B)成 分之合计100重量份时,含有5~90重量份,(C)成分系对 于(A)成分与(B)成分之合计100重量份时,含有0.01~30 重量份之介电率变化材料后,以(D)安定化剂处理使 未曝光部之(A)分解性化合物与(D)安定化剂反应, 其中该(A)分解性化合物系至少一种具有以下述式( 1)~(6)或(10)表示之结构中之至少一种结构的化合物 , (式(1)中R1为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基或伸芳 基,R2为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基、 烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(2)中M为Si或Ge,R3为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷 基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R4为 氧原子、伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基 或单键,R5、R6、R7及R8系各自独立之氢原子、烷基 、芳基、烷氧基或硫代烷基,m为0至2之整数) (式(3)中R9及R10系各自独立的伸烷基、伸烷基伸芳 基伸烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷 基) (式(4)中R11系羟基伸烷基或单键,R12为氢原子、烷 基、伸烷基伸芳基伸烷基或芳基) (式(5)中R13系氢原子、烷基或芳基) (式(6)中R14系以伸烷基或下述式(7)、(8)或(9)表示的 结构) (式(7)中R15、R16、R17及R18系相互独立的氢原子、碳 数1~6之链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、羟 基、巯基、羧基、碳数1~6之烷氧基、碳数1~6之烷 硫基、碳数1~6之卤化烷基、碳数1~6之卤化烷氧基 、碳数1~6之卤化烷基硫基、碳数1~6之羟烷基、碳 数1~6之巯基烷基、碳数1~6之羟基烷氧基、碳数1~6 之巯基烷基硫基、碳数6~10之芳基或碳数7~11之芳 烷基) -O-R19-O-………(8) (式(8)中R19系伸烷基) -NH-R20-NH-………(9) (式(9)中R20系伸烷基) (式(10)中R21系伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、或 伸芳基); 或该(A)分解性化合物系至少一种选自由(i)~(v)所成 群的化合物, (i)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 苯酚树脂, (ii)至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 酚醛树脂, (iii)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 苯酚树脂, (iv)至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 酚醛树脂, (v)至少一个羧基被酸分解性保护基保护之含羧基 树脂;或 该(A)分解性化合物为至少含有一种具有以下述式( 11)~(13)或(14)表示之结构中之至少一种结构的化合 物, (式(11)中R22为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R23为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R24、R25、R26及R27 系各自独立之氢原子、烷基、芳基、烷氧基或烷 硫基,i及j系分别为0或1) (式(12)中R28为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R29为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(13)中R30及R31系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基) (式(14)中R32及R33系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基), 其中该(B)非分解性化合物系对于酸或硷为安定的 非分解性化合物, 该(C)感放射线分解剂为三氯甲基-S-三类、二芳 香基碘盐类、三芳香基盐类、四级铵盐类、 磺酸酯类中之至少一种, 该(D)安定化剂至少一种选自由胺基化合物、环氧 化合物、硫化乙烯化合物、氮杂环丁烷化合物、 烷氧基甲基化三聚氰胺化合物、烷氧基甲基化甘 化合物、烷氧基甲基化苯并鸟粪胺化合物、烷 氧基甲基化化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯 化合物、唑化合物、化合物及矽烷化合 物所成群者。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中介电率图案 为由具有10~99.9%之空隙之曝光部与实质上不具有 空隙之未曝光部所构成。 14.一种形成介电率图案的方法,其特征为经由图案 光罩将放射线照射于含有(A)分解性化合物、(B)非 分解性化合物及(C)感放射线分解剂,其中各成分之 含量:(A)成分系对于(A)成分与(B)成分之合计100重量 份时,含有10~95重量份,(B)成分系对于(A)成分与(B)成 分之合计100重量份时,含有5~90重量份,(C)成分系对 于(A)成分与(B)成分之合计100重量份时,含有0.01~30 重量份介电率变化材料后,加热处理使未曝光部之 分解性化合物分解, 其中该(A)分解性化合物系至少一种具有以下述式( 1)~(6)或(10)表示之结构中之至少一种结构的化合物 , (式(1)中R1为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基或伸芳 基,R2为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基、 烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(2)中M为Si或Ge,R3为伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷 基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R4为 氧原子、伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、伸芳基 或单键,R5、R6、R7及R8系各自独立之氢原子、烷基 、芳基、烷氧基或硫代烷基,m为0至2之整数) (式(3)中R9及R10系各自独立的伸烷基、伸烷基伸芳 基伸烷基、伸芳基、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷 基) (式(4)中R11系羟基伸烷基或单键,R12为氢原子、烷 基、伸烷基伸芳基伸烷基或芳基) (式(5)中R13系氢原子、烷基或芳基) (式(6)中R14系以伸烷基或下述式(7)、(8)或(9)表示的 结构) (式(7)中R15、R16、R17及R18系相互独立的氢原子、碳 数1~6之链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、羟 基、巯基、羧基、碳数1~6之烷氧基、碳数1~6之烷 硫基、碳数1~6之卤化烷基、碳数1~6之卤化烷氧基 、碳数1~6之卤化烷基硫基、碳数1~6之羟烷基、碳 数1~6之巯基烷基、碳数1~6之羟基烷氧基、碳数1~6 之巯基烷基硫基、碳数6~10之芳基或碳数7~11之芳 烷基) -O-R19-O-………(8) (式(8)中R19系伸烷基) -NH-R20-NH-………(9) (式(9)中R20系伸烷基) (式(10)中R21系伸烷基、伸烷基伸芳基伸烷基、或 伸芳基); 或该(A)分解性化合物系至少一种选自由(i)~(v)所成 群的化合物, (i)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 苯酚树脂, (ii)至少一个苯酚性羟基形成二叠氮磺醯酯之 酚醛树脂, (iii)分子内分别具有2个以上之苯酚性羟基与苯基, 且至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 苯酚树脂, (iv)至少一个苯酚性羟基被酸分解性保护基保护之 酚醛树脂, (v)至少一个羧基被酸分解性保护基保护之含羧基 树脂;或 该(A)分解性化合物为至少含有一种具有以下述式( 11)~(13)或(14)表示之结构中之至少一种结构的化合 物, (式(11)中R22为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R23为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基,R24、R25、R26及R27 系各自独立之氢原子、烷基、芳基、烷氧基或烷 硫基,i及j系分别为0或1) (式(12)中R28为伸烷基、伸芳烷基或伸芳基,R29为伸 烷基、伸芳烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基 、烷基亚矽烷基或烷基亚锗烷基) (式(13)中R30及R31系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基) (式(14)中R32及R33系各自独立之伸烷基、伸芳烷基 或伸芳基、伸烷基伸芳基伸烷基、烷基亚矽烷基 或烷基亚锗烷基), 其中该(B)非分解性化合物系对于酸或硷为安定的 非分解性化合物, 该(C)感放射线分解剂为三氯甲基-S-三类、二芳 香基碘盐类、三芳香基盐类、四级铵盐类、 磺酸酯类中之至少一种, 该(D)安定化剂至少一种选自由胺基化合物、环氧 化合物、硫化乙烯化合物、氮杂环丁烷化合物、 烷氧基甲基化三聚氰胺化合物、烷氧基甲基化甘 化合物、烷氧基甲基化苯并鸟粪胺化合物、烷 氧基甲基化化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯 化合物、唑化合物、化合物及矽烷化合 物所成群者。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中介电率图案 为由具有10~99.9%之空隙之曝光部与实质上不具有 空隙之未曝光部所构成。 16.一种介电率图案,其特征系藉由如申请专利范围 第10、12或14项之方法所形成。 17.如申请专利范围第16项之介电率图案,其系由具 有10~99.9%之空隙之第1区域与实质上不具有空隙,且 具有高于第1区域之介电率之介电率的第2区域所 构成。 18.如申请专利范围第17项之介电率图案,其中第1区 域具有比第2区域低之弹性模数。 |
