发明名称 电浆处理装置及电浆处理方法,电浆成膜装置及电浆成膜方法
摘要 本发明提供一种电浆处理装置及电浆处理方法,电浆成膜装置及电浆成膜方法。本发明系具有位于天线11a周围之天花板面外侧所配置之第二天线11b,而将以供电机构向天线11a供电之电流成反向的电流供给于第二天线11b,俾在第二天线11b之部分产生与天线11a之部分的磁力线F1相反之磁力线F2,使得即使于筒状容器2内广阔范围产生均匀的电浆,也能使壁面方向磁通量密度变小者。
申请公布号 TWI276163 申请公布日期 2007.03.11
申请号 TW092116541 申请日期 2003.06.18
申请人 三菱重工业股份有限公司 发明人 松田龙一;岛津正;井上雅彦
分类号 H01L21/205(2006.01);B01J19/08(2006.01);C23C16/507(2006.01);H05H1/46(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种电浆处理装置,系在处理室天花板面上部配 置平面环状天线,并藉由以供电机构供电于天线, 使电浆产生于处理室内,而以在其处受到激发活 性化之原子分子对于基板表面施与处理者,其特 征为:在天线周围配置位于天花板面外侧之第二天 线,且具备用以对第二天线供给与对于天线供电之 电流成反向的电流之第二供电机构。 2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中 使供电机构与第二供电机构为同一交流电源。 3.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中 使供电机构的交流电源与天线之连接及第二供电 机构的交流电源与第二天线之连接成为同一方向, 且具备用以使供电机构的交流电源与第二供电机 构侧的交流电源之相位成为反相的相位变更机构 。 4.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中 使供电机构的交流电源与天线之连接及第二供电 机构的交流电源与第二天线之连接成为反向。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之电浆处理装 置,其中 对于基板表面之处理系以受到激发活性化之原 子分子而于基板表面制作膜之成膜处理。 6.一种电浆处理方法,系藉由来自处理室天花板面 上部之供电使电浆产生于处理室内,而以在其处受 到激发活性化之原子分子对于基板表面施与 处理者,其特征为:在天花板面外侧产生与因电浆 所产生的供电电流成反向之电流而施与处理。 7.一种电浆成膜装置,其具备供收容基板之筒状容 器、用以将原料气体供给于筒状容器内之原料气 体供给机构、配置于筒状容器之天花板面上面而 用以藉供电而使筒状容器内电浆化之平面环状天 线、藉由对天线进行供电而于筒状容器内产生原 料气体电浆之供电机构;且藉由筒状容器内之电浆 所激发活性化之原子分子,而于基板之表面制 作膜,其特征为具备: 第二天线,其系配置在天线周围且位于天花板面外 侧;第二供电机构,其系用以对第二天线供给与以 供电机构向天线之供电电流成反向之电流。 8.如申请专利范围第7项之电浆成膜装置,其中 使供电机构与第二供电机构为同一交流电源。 9.如申请专利范围第7项之电浆成膜装置,其中 使供电机构的交流电源与天线之连接及第二供电 机构的交流电源与第二天线之连接成为同一方向, 且具备使供电机构的交流电源与第二供电机构侧 的交流电源之相位成为反相的相位变更机构。 10.如申请专利范围第7项之电浆成膜装置,其中 使供电机构的交流电源与天线之连接及第二供电 机构的交流电源与第二天线之连接成为反向。 11.一种电浆成膜方法,系藉由来自筒状容器天花板 面上部之供电使电浆产生于筒状容器内,而以在其 处受到激发活性化之原子分子对于基板表面 制作膜者,其特征为:在天花板面外侧产生与因电 浆的产生而造成之供电电流成反向之电流而制作 膜。 图式简单说明: 图1系本发明一实施例之电浆CVD装置概括侧视图。 图2系显示天线形状之电浆CVD装置俯视图。 图3系显示天线形状之电浆CVD装置俯视图。 图4系显示天线形状之电浆CVD装置俯视图。 图5系显示天线形状之电浆CVD装置俯视图。 图6系本发明其他实施例之电浆CVD装置概括侧视图 。 图7系显示自天花板面下面至基板之距离与电子温 度之关系图表。
地址 日本