| 摘要 |
L'invention concerne un circuit intégré passif sans contact (IC2) comprenant une mémoire de données non volatile (MEM) programmable électriquement, un circuit survolteur à accumulation de charges (HVCT, PMP, HGEN) pour fournir une haute tension (Vhv) nécessaire à l'écriture de données (DTW) dans la mémoire. Selon l'invention, le circuit intégré comprend un point mémoire volatile (FF1) pour mémoriser un drapeau indicateur (THR2), et des moyens (THDET, THR1, FF1) pour modifier la valeur du drapeau indicateur (THR2) lorsque la haute tension (Vhv) atteint la première fois un seuil critique (Vc) après activation du circuit survolteur.
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