发明名称 |
Verfahren zum Reduzieren der Kontamination durch Entfernung eines Zwischenschichtdielektrikums von dem Substratrand |
摘要 |
Durch Ausführen mindestens eines zusätzlichen nasschemischen Ätzprozesses in dem Randgebiet und insbesondere an der Abschrägung eines Substrats während der Herstellung einer Metallisierungsschicht kann das dielektrische Material und insbesondere das dielektrische Material mit kleinem epsilon in zuverlässiger Weise von der Abschrägung vor dem Ausbilden von Barrieren- und Metallschichten entfernt werden. Des Weiteren kann ein zusätzlicher nasschemischer Ätzprozess nach dem Abscheiden des Metalls ausgeführt werden, so dass ungewünschtes Material und Barrierenmaterial von dem Randgebiet und der Abschrägung entfernt wird. Folglich kann die Problematik von Defekten und die Kontamination von Substraten und Prozessanlagen deutlich reduziert werden.
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申请公布号 |
DE102005035728(B3) |
申请公布日期 |
2007.03.08 |
申请号 |
DE200510035728 |
申请日期 |
2005.07.29 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC. |
发明人 |
SCHUEHRER, HOLGER;BARTSCH, CHRISTIN;HARTIG, CARSTEN |
分类号 |
H01L21/283;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/283 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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