Polierzusammensetzung und Polierverfahren

摘要

Eine erste Polierzusammensetzung schließt Schleifkörner und eine Iodverbindung ein und weist einen pH von 6 oder mehr auf. Die erste Polierzusammensetzung kann in geeigneter Weise die Si [001] Ebene eines Siliciumcarbideinkristall-Substrates polieren. Eine zweite Polierzusammensetzung schließt eine Iodverbindung ein und weist einen pH von 8 oder weniger auf. Die zweite Polierzusammensetzung kann in geeigneter Weise die C [000-1] Ebene eines Siliciumcarbideinkristall-Substrates polieren. Eine dritte Polierzusammensetzung schließt Schleifkörner und eine Iodverbindung ein und weist einen pH von 6 bis 8 auf, jeweils eingeschlossen. Die dritte Polierzusammensetzung kann in geeigneter Weise jede der Si [0001] und C [000-1] Ebenen eines Siliciumcarbideinkristall-Substrates polieren.